TPD2S017

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具有低钳位和 EMI 滤波功能的 2 通道 5.5V、1pF、±11kV ESD 保护二极管

产品详情

Package name SOT-23 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 2 IO capacitance (typ) (pF) 1 Clamping voltage (V) 14 Breakdown voltage (min) (V) 11
Package name SOT-23 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 2 IO capacitance (typ) (pF) 1 Clamping voltage (V) 14 Breakdown voltage (min) (V) 11
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 超低钳位电压可确保在 ESD 事件期间保护超低电压核心芯片组
  • IEC 61000-4-2 ESD 保护
  • 串联电阻器 (R = 1Ω) 匹配为 ±8mΩ(典型值)
  • 差分通道输入电容匹配为 0.02pF(典型值)
  • 高频下的高速数据速率和 EMI 滤波器操作(–3dB 带宽,≉3GHz)
  • 采用 6 引脚小外形尺寸晶体管 [SOT-23 (DBV)] 封装
  • 简易直通布线封装
  • 超低钳位电压可确保在 ESD 事件期间保护超低电压核心芯片组
  • IEC 61000-4-2 ESD 保护
  • 串联电阻器 (R = 1Ω) 匹配为 ±8mΩ(典型值)
  • 差分通道输入电容匹配为 0.02pF(典型值)
  • 高频下的高速数据速率和 EMI 滤波器操作(–3dB 带宽,≉3GHz)
  • 采用 6 引脚小外形尺寸晶体管 [SOT-23 (DBV)] 封装
  • 简易直通布线封装

TPD2S017 是一款双通道静电放电 (ESD) 保护器件。该保护产品在每条线路中提供两级 ESD 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,并具有典型的 1Ω 串联电阻器隔离。这种架构允许器件于系统级 ESD 冲击期间钳位在非常低的电压。

TPD2S017 符合 IEC61000-4-2 ESD 保护标准。由于串联电阻器元件,TPD2S017 可提供受控滤波器滚降,以实现更出色的杂散 EMI 抑制和信号完整性。单片器件技术允许元件值的良好匹配,包括钳位电容和差分信号对之间的串联电阻器。线路电容和串联电阻器的紧密匹配,可确保由于添加 ESD 钳位而导致的差分信号失真较小,并且还允许部件以高速差分数据速率(超过 1.5Gbps)运行。DBV 封装提供直通式引脚映射,可简化电路板布局布线。

这种 ESD 保护器件的典型应用是 USB 数据线、IEEE 1394 接口、LVDS、MDDI/MIPI 和 HS 信号的电路保护。

TPD2S017 是一款双通道静电放电 (ESD) 保护器件。该保护产品在每条线路中提供两级 ESD 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,并具有典型的 1Ω 串联电阻器隔离。这种架构允许器件于系统级 ESD 冲击期间钳位在非常低的电压。

TPD2S017 符合 IEC61000-4-2 ESD 保护标准。由于串联电阻器元件,TPD2S017 可提供受控滤波器滚降,以实现更出色的杂散 EMI 抑制和信号完整性。单片器件技术允许元件值的良好匹配,包括钳位电容和差分信号对之间的串联电阻器。线路电容和串联电阻器的紧密匹配,可确保由于添加 ESD 钳位而导致的差分信号失真较小,并且还允许部件以高速差分数据速率(超过 1.5Gbps)运行。DBV 封装提供直通式引脚映射,可简化电路板布局布线。

这种 ESD 保护器件的典型应用是 USB 数据线、IEEE 1394 接口、LVDS、MDDI/MIPI 和 HS 信号的电路保护。

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