TLV713

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具有使能功能的 150mA、低压降无电容稳压器

产品详情

Output options Fixed Output Iout (max) (A) 0.15 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.4 Vout (max) (V) 2 Vout (min) (V) 2 Fixed output options (V) 2 Noise (µVrms) 73 Iq (typ) (mA) 0.05 Thermal resistance θJA (°C/W) 249 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection Accuracy (%) 1.5 PSRR at 100 KHz (dB) 17 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 230 Operating temperature range (°C) -40 to 85
Output options Fixed Output Iout (max) (A) 0.15 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.4 Vout (max) (V) 2 Vout (min) (V) 2 Fixed output options (V) 2 Noise (µVrms) 73 Iq (typ) (mA) 0.05 Thermal resistance θJA (°C/W) 249 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 0 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection Accuracy (%) 1.5 PSRR at 100 KHz (dB) 17 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 230 Operating temperature range (°C) -40 to 85
X2SON (DQN) 4 1 mm² 1 x 1
  • 有无电容器均可实现稳定运行
  • 折返过流保护
  • 封装:
    • 1mm × 1mm 4 引脚 X2SON
    • 5 引脚 SOT-23
  • 超低压降:150mA 时为 230mV
  • 准确度:1%
  • 低 IQ:50µA
  • 输入电压范围:1.4V 至 5.5V
  • 可提供固定输出电压:
    1V 至 3.3V
  • 高 PSRR:1kHz 时为 65dB
  • 有源输出放电(仅限 P 版本)
  • 有无电容器均可实现稳定运行
  • 折返过流保护
  • 封装:
    • 1mm × 1mm 4 引脚 X2SON
    • 5 引脚 SOT-23
  • 超低压降:150mA 时为 230mV
  • 准确度:1%
  • 低 IQ:50µA
  • 输入电压范围:1.4V 至 5.5V
  • 可提供固定输出电压:
    1V 至 3.3V
  • 高 PSRR:1kHz 时为 65dB
  • 有源输出放电(仅限 P 版本)

TLV713 系列低压降 (LDO) 线性稳压器具有较低的静态电流,并且线路和负载瞬态性能出色,适用于功耗敏感型 应用。此类器件可提供典型值为 1% 的精度。

TLV713 系列器件经过设计,无需使用输出电容即可稳定运行。移除输出电容器可实现极小的解决方案尺寸。然而,如果使用了一个输出电容器,TLV713 系列也可与任何输出电容器实现稳定运行。

TLV713 还可在器件上电和使能期间提供浪涌电流控制。TLV713 将输入电流限制到已定义的电流限值来避免来自输入电源的大电流。这个功能对于电池供电类器件十分重要。

TLV713 系列采用标准的 DQN 和 DBV 封装。TLV713P 提供了有源下拉电路,用于对输出负载进行快速放电。

TLV713 系列低压降 (LDO) 线性稳压器具有较低的静态电流,并且线路和负载瞬态性能出色,适用于功耗敏感型 应用。此类器件可提供典型值为 1% 的精度。

TLV713 系列器件经过设计,无需使用输出电容即可稳定运行。移除输出电容器可实现极小的解决方案尺寸。然而,如果使用了一个输出电容器,TLV713 系列也可与任何输出电容器实现稳定运行。

TLV713 还可在器件上电和使能期间提供浪涌电流控制。TLV713 将输入电流限制到已定义的电流限值来避免来自输入电源的大电流。这个功能对于电池供电类器件十分重要。

TLV713 系列采用标准的 DQN 和 DBV 封装。TLV713P 提供了有源下拉电路,用于对输出负载进行快速放电。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TLV713 面向便携式设备且具有折返电流限制的无电容 150mA 低压降稳压器 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 英语版 (Rev.F) PDF | HTML 2019年 10月 10日
选择指南 Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) 2018年 3月 21日
选择指南 低压降稳压器快速参考指南 (Rev. M) 最新英语版本 (Rev.P) 2017年 1月 5日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

TLV71320 PSpice Transient Model (Rev. A)

SBVM272A.ZIP (21 KB) - PSpice Model
仿真模型

TLV71325 PSpice Transient Model (Rev. A)

SBVM228A.ZIP (21 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-00300 — 隔离式同步串行通信模块

此参考设计提供了隔离 I2C 或 SPI 通信线路的方法。电网基础设施应用中通常需要这种隔离,例如涉及高压的保护继电器和断路器。此参考设计提供电源隔离和信号隔离。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDM-1007 — 交错式 CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计

交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率,此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDM-02008 — 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC

此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级,采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流(PFC 和并网逆变器)且使用 LMG341x GaN 器件,可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率,通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数,并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

 

设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计

该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力,从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN,并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器,可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行,可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
测试报告: PDF
封装 引脚 下载
X2SON (DQN) 4 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频