ZHCSFW1 November 2016 TLV314-Q1 , TLV4314-Q1

PRODUCTION DATA. 

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2ESD Ratings
    3. 6.3Recommended Operating Conditions
    4. 6.4Thermal Information: TLV314-Q1
    5. 6.5Thermal Information: TLV2314-Q1
    6. 6.6Thermal Information: TLV4314-Q1
    7. 6.7Electrical Characteristics
    8. 6.8Typical Characteristics
    9. 6.9Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1Overview
    2. 7.2Functional Block Diagram
    3. 7.3Feature Description
      1. 7.3.1Operating Voltage
      2. 7.3.2Rail-to-Rail Input
      3. 7.3.3Rail-to-Rail Output
      4. 7.3.4Common-Mode Rejection Ratio (CMRR)
      5. 7.3.5Capacitive Load and Stability
      6. 7.3.6EMI Susceptibility and Input Filtering
    4. 7.4Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 8.1Application Information
    2. 8.2Typical Application
      1. 8.2.1Design Requirements
      2. 8.2.2Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3Application Curve
    3. 8.3System Examples
  9. Power Supply Recommendations
    1. 9.1Input and ESD Protection
  10. 10Layout
    1. 10.1Layout Guidelines
    2. 10.2Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1器件支持
      1. 11.1.1开发支持
    2. 11.2文档支持
      1. 11.2.1相关文档 
    3. 11.3相关链接
    4. 11.4社区资源
    5. 11.5商标
    6. 11.6静电放电警告
    7. 11.7Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

特性

  • 适用于汽车电子 应用
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3A
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 低偏移电压:0.75mV(典型值)
  • 低输入偏置电流:1pA(典型值)
  • 宽电源电压范围:1.8V 至 5.5V
  • 轨到轨输入和输出
  • 增益带宽:3MHz
  • 低 IQ:每通道 250µA(最大值)
  • 低噪声:1kHz 时为 16nV/√Hz
  • 内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 通道数量:
    • TLV314-Q1:1
    • TLV2314-Q1:2
    • TLV4314-Q1:4
  • 扩展温度范围:
    -40°C 至 +125°C

应用

  • 低侧感测
  • 电池管理系统
  • 无源安全性
  • 电容式感测
  • 燃油泵

说明

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(5V 时典型值为 150μA)、3MHz 高带宽等特性,非常适用于 要求在成本和性能间达到良好平衡的 电池供电应用。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。

TLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF,集成 RF 和 EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护(4kV 人体模型 (HBM))。

此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。

TLV314-Q1(单通道)采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1(双通道版本)采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

器件信息(1)

器件型号封装封装尺寸(标称值)
TLV314-Q1SOT-23 (5)2.90mm x 1.60mm
SC70 (5)2.00mm × 1.25mm
TLV2314-Q1VSSOP (8)3.00mm x 3.00mm
SOIC (8)4.90mm x 3.91mm
TLV4314-Q1薄型小外形尺寸封装 (TSSOP) (14)5.00mm x 4.40mm
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

EMIRR 与频率间的关系

TLV314-Q1 TLV2314-Q1 TLV4314-Q1 tc_emirr_2314_sbos754.gif