TLV4314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器 | 德州仪器 TI.com.cn

TLV4314-Q1 (正在供货)

3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

 

描述

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(5V 时典型值为 150µA)、3MHz 高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。

TLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF,集成 RF 和 EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护(4kV 人体模型 (HBM))。

此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。

TLV314-Q1(单通道)采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1(双通道版本)采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

特性

  • 符合汽车类应用的 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 低偏移电压:0.75mV(典型值)
  • 低输入偏置电流:1pA(典型值)
  • 宽电源电压范围:1.8V 至 5.5V
  • 轨到轨输入和输出
  • 增益带宽:3MHz
  • 低 IQ:每通道 250µA(最大值)
  • 低噪声:1kHz 时为 16nV/√Hz
  • 内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 通道数量:
    • TLV314-Q1:1
    • TLV2314-Q1:2
    • TLV4314-Q1:4
  • 扩展温度范围:
    -40°C 至 +125°C

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参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-rail
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating temperature range (C)
Package Group
Package size: mm2:W x L (PKG)
Offset drift (Typ) (uV/C)
Features
CMRR (Typ) (dB)
Output current (Typ) (mA)
Architecture
TLV4314-Q1 TLV2314-Q1 TLV314-Q1
4     2     1    
1.8     1.8     1.8    
5.5     5.5     5.5    
3     3     3    
1.5     1.5     1.5    
In
Out    
In
Out    
In
Out    
3     3     3    
0.15     0.15     0.15    
16     16     16    
Automotive     Automotive     Automotive    
-40 to 125     -40 to 125     -40 to 125    
TSSOP | 14     SOIC | 8     SOT-23 | 5    
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5 (TSSOP | 14)     8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8)     5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9 (SOT-23 | 5)    
2     2     2    
Cost Optimized
EMI Hardened    
Cost Optimized
EMI Hardened    
Cost Optimized
EMI Hardened    
96     96     96    
20     20     20    
CMOS     CMOS     CMOS