TLV4170 36V 1.2MHz 微功耗轨至轨输出通用运算放大器 | 德州仪器 TI.com.cn

TLV4170
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
36V 1.2MHz 微功耗轨至轨输出通用运算放大器

 

描述

TLVx170 系列抗电磁干扰型 36V 单电源低噪声运算放大器在 1kHz 下的 THD+N 为 0.0002%,能够在 2.7V (±1.35V) 至 36V (±18V) 的电源电压范围内运行。这些 特性结合低噪声和超高电源抑制比 (PSRR) 使得单通道 TLV170、双通道 TLV2170 和四通道 TLV4170 成为毫伏级信号放大的理想选择。TLVx170 系列器件还具有良好的失调电压、温漂和带宽以及低静态电流特性。

大多数运算放大器仅有一个指定的电源电压,TLVx170 系列运算放大器则有所不同,其可在 2.7V 至 36V 的电压范围内额定运行,超过电源轨的输入信号摆幅不会导致反相。TLVx170 系列同时也是单位增益稳定的精密运算放大器,容性负载为 200pF,带宽为 1.2MHz,转换率为 0.4V/µs,非常适用于电流-电压转换器。

器件输入可在负电源轨以下 100mV 以及正电源轨 2V 之内正常运行,但满轨到轨输入的性能会受到影响。TLVx170 器件的额定运行温度范围为 -40°C 至 +125°C。

特性

  • 电源电压范围:2.7V 至 36V,±1.35V 至 ±18V
  • 低噪声:22 nV/√Hz
  • 电磁干扰 (EMI) 滤波器和内部射频 (RF)
  • 输入范围包括负电源
  • 单位增益稳定:200pF 容性负载
  • 轨至轨输出
  • 增益带宽:1.2MHz
  • 低静态电流:每个放大器 125µA
  • 高共模抑制:110dB
  • 低偏置电流:10pA(典型值)

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参数

与其它产品相比 通用 运算放大器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Number of channels (#) Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Offset drift (Typ) (uV/C) Features CMRR (Typ) (dB) Output current (Typ) (mA) Architecture
TLV4170 立即下单 4     2.7     36     1.2     0.4     In to V-
Out    
2.5     0.125     22     Catalog     -40 to 125     SOIC | 14
TSSOP | 14    
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65 (SOIC | 14)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5 (TSSOP | 14)    
2     Cost Optimized
EMI Hardened    
110     17     CMOS    
TLV170 立即下单 1     2.7     36     1.2     0.4     In to V-
Out    
2.5     0.125     22     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SOT-23 | 5    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
5SOT-23: 5 mm2: 1.6 x 2.9 (SOT-23 | 5)    
2     Cost Optimized
EMI Hardened    
110     17     CMOS    
TLV2170 立即下单 2     2.7     36     1.2     0.4     In to V-
Out    
2.5     0.125     22     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
VSSOP | 8    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
2     Cost Optimized
EMI Hardened    
110     17     CMOS