TLV313 (正在供货)

TLVx313 1MHz、微功耗、RRIO、CMOS 运算放大器

TLVx313 1MHz、微功耗、RRIO、CMOS 运算放大器 - TLV313
 

描述

TLV313 系列单通道、双通道和四通道精密运算放大器完美融合了低功耗特性与出色性能,因此非常适合 诸如可穿戴设备、公用事业仪表计量、楼宇自动化、验钞机等各类应用。该系列 具有 轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值:65µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 26nV/√Hz)等特性。 对于需要良好均衡成本和性能的应用场合, 非常有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适用于 源阻抗高达兆欧级 应用。

TLV313 系列器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件在高达 150pF 的容性负载条件下单位增益稳定并集成了 RF/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相而且具有高静电放电 (ESD) 保护功能(4kV 人体模型 (HBM))。

此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 125°C 的扩展温度范围内额定运行。

单通道 TLV313 器件采用 SC70-5 和小外形尺寸晶体管 (SOT) 23-5 封装。双通道 TLV2313 器件采用小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 和超薄小外形尺寸 (VSSOP)-8 封装,四通道 TLV4313 器件采用薄型小外形尺寸 (TSSOP)-14 封装。

特性

  • 面向成本敏感型系统的精密放大器
  • 低 IQ:每通道 65µA
  • 宽电源电压:1.8V 至 5.5V
  • 低噪声:1kHz 时为 26nV/√Hz
  • 增益带宽:1MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 低输入偏置电流:1pA
  • 低偏移电压:0.75mV
  • 单位增益稳定
  • 内部射频 (RF) / 电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 扩展温度范围: -40°C 至 +125°C

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参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TLV313 TLV2313 TLV4313 TLV6001 TLV6002 TLV9002
1    2    4    1    2    2   
1.8    1.8    1.8    1.8    1.8    1.8   
5.5    5.5    5.5    5.5    5.5    5.5   
1    1    1    1    1    1   
0.5    0.5    0.5    0.5    0.5    2   
In
Out   
In
Out   
In
Out   
In
Out   
In
Out   
In
Out   
3    3    3    4.5    4.5    1.5   
0.065    0.065    0.065    0.075    0.075    0.06   
26    26    26    28    28    28   
Catalog    Catalog    Catalog    Catalog    Catalog    Catalog   
-40 to 125    -40 to 125    -40 to 125    -40 to 125    -40 to 125    -40 to 125   
SC70
SOT-23   
SOIC
VSSOP   
TSSOP    SC70
SOT-23   
SOIC
VSSOP   
SOIC   
5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70)
5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23)   
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP)   
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)    5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70)
5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23)   
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP)   
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)   
2    2    2    2    2    4   
Cost Optimized
EMI Hardened
Small Size   
Cost Optimized
EMI Hardened   
Cost Optimized
EMI Hardened   
Cost Optimized
EMI Hardened
Small Size   
Cost Optimized
EMI Hardened   
Cost Optimized
EMI Hardened   
      76    76     
85    85    85    76    76    90   
15    15    15    15    15    15   
CMOS    CMOS    CMOS    CMOS    CMOS    CMOS   

其它合格版本 TLV313

版本 器件型号 定义
汽车电子 TLV313-Q1 Q100 适用于追求零缺陷的高可靠性汽车电子应用的器件