TLV2313-Q1

正在供货

汽车级、双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器

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TLV9002-Q1 正在供货 适用于成本优化型应用的汽车级、双通道、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 Faster slew rate (2 V/us), lower offset voltage (1.5 mV), lower power (0.06 mA), higher output current (40 mA)

产品详情

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 0.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.065 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 26 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 85 Iout (typ) (A) 0.015 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.075 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.1
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 0.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.065 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 26 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 85 Iout (typ) (A) 0.015 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.075 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.1
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • 符合汽车应用要求 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C
      的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 面向成本敏感型系统的精密放大器
  • 低 IQ:每通道 65µA
  • 宽电源电压:1.8V 至 5.5V
  • 低噪声:1kHz 时为 26nV/√Hz
  • 增益带宽:1MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 低输入偏置电流:1pA
  • 低失调电压:0.75mV
  • 单位增益稳定
  • 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 符合汽车应用要求 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C
      的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 面向成本敏感型系统的精密放大器
  • 低 IQ:每通道 65µA
  • 宽电源电压:1.8V 至 5.5V
  • 低噪声:1kHz 时为 26nV/√Hz
  • 增益带宽:1MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 低输入偏置电流:1pA
  • 低失调电压:0.75mV
  • 单位增益稳定
  • 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器

TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用, 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值:65µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 26nV/√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。

TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性,集成了 RFI/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下无相位反转,并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

这些器件经过优化,适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作,且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。

TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用, 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值:65µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 26nV/√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。

TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性,集成了 RFI/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下无相位反转,并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

这些器件经过优化,适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作,且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。

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技术文档

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* 数据表 适用于成本敏感型应用的 TLVx313-Q1 低功耗、轨至轨输入/输出、750μV 典型失调电压、1MHz 运算放大器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 6月 27日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

DUAL-DIYAMP-EVM — 双通道通用自制 (DIY) 放大器电路评估模块

DUAL-DIYAMP-EVM 是独特的评估模块 (EVM) 系列,可为工程师和 DIY 爱好者提供现实生活中的放大器电路,使您能够快速完成设计概念评估和仿真验证。它专为采用行业标准 SOIC-8 封装的双封装运算放大器而设计。它可实现各种电路配置,例如反相和同相放大器、Sallen Key 滤波器、多反馈滤波器、具有基准缓冲器的差动放大器、具有双反馈的 RISO、单端输入至差动输出、差动输入至差动输出、2 个运算放大器仪表放大器和并联运算放大器。

DUAL-DIYAMP-EVM 系列可实现快速、方便的原型设计,并且使用常用的 0805 或 0603 (...)
用户指南: PDF
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仿真模型

TLV313 PSpice Model (Rev. D)

SBOMA12D.ZIP (22 KB) - PSpice Model
仿真模型

TLV313 TINA-TI Reference Design (Rev. B)

SBOMA14B.TSC (1056 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

TLV313 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SBOMA13B.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

ANALOG-ENGINEER-CALC — 模拟工程师计算器

模拟工程师计算器旨在加快模拟电路设计工程师经常使用的许多重复性计算。该基于 PC 的工具提供图形界面,其中显示各种常见计算的列表(从使用反馈电阻器设置运算放大器增益到为稳定模数转换器 (ADC) 驱动器缓冲器电路选择合适的电路设计元件)。除了可用作单独的工具之外,该计算器还能够很好地与模拟工程师口袋参考书中所述的概念配合使用。
设计工具

CIRCUIT060013 — 采用 T 网络反馈电路的反相放大器

该设计将输入信号 VIN 反相并应用 1000V/V 或 60dB 的信号增益。具有 T 反馈网络的反相放大器可用于获得高增益,而无需 R4 具有很小的值或反馈电阻器具有很大的值。
设计工具

CIRCUIT060015 — 可调节基准电压电路

该电路结合了一个反相和同相放大器,可使基准电压在正负输入电压范围内进行调节。可通过增加增益来提高最大负基准电压电平。
设计工具

CIRCUIT060074 — 采用比较器的高侧电流检测电路

该高侧电流检测解决方案使用一个具有轨到轨输入共模范围的比较器,如果负载电流上升至超过 1A,则在比较器输出端 (COMP OUT) 产生过流警报 (OC-Alert) 信号。该实现中的 OC-Alert 信号低电平有效。因此,当超过 1A 阈值后,比较器输出变为低电平。实现了迟滞,使得当负载电流减小至 0.5 A(减少 50%)时,OC-Alert 将返回到逻辑高电平状态。该电路使用漏极开路输出比较器,从而对输出高逻辑电平进行电平转换,以控制数字逻辑输入引脚。对于需要驱动 MOSFET 开关栅极的应用,最好使用具有推挽输出的比较器。
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
模拟工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模拟仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能,允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装,如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是德州仪器 (TI) 专有的 DesignSoft 产品。该免费版本具有完整的功能,但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表,请参阅:SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 查看选项
VSSOP (DGK) 8 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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