TLV2313 TLVx313 1MHz、微功耗、RRIO、CMOS 运算放大器 | 德州仪器 TI.com.cn

TLV2313
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TLVx313 1MHz、微功耗、RRIO、CMOS 运算放大器

 

Recommended alternative device

For lower Vos (1.6mV) and faster slew rate (2V/µs) for cost sensitive applications, see the pin-to-pin CMOS op amp TLV9002

描述

TLV313 系列单通道、双通道和四通道运算放大器集低功耗与良好的性能于一体。这使得它们非常适用于各种 应用,如可穿戴设备、公共事业计量、楼宇自动化、点钞机 。该系列 具有 轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值:65µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 26nV/√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电 应用 而言非常具有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适合用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。

TLV313器件的稳健耐用设计便于电路设计人员使用。该器件在高达 100pF 的容性负载条件下单位增益稳定并集成了 RFI/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相而且具有高静电放电 (ESD) 保护功能(4kV 人体模型 (HBM))。

此类器件经过优化,适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的低压下工作,且额定扩展工作温度范围为
–40°C 至 +125°C。

单通道 TLV313 器件采用。。双通道 TLV2313 器件采用小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 和超薄小外形尺寸 (VSSOP)-8 封装,四通道 TLV4313 器件采用薄型小外形尺寸 (TSSOP)-14 封装。

特性

  • 面向成本敏感型系统的精密放大器
  • 低 IQ:每通道 65µA
  • 宽电源电压:1.8V 至 5.5V
  • 低噪声:1kHz 时为 26nV/√Hz
  • 增益带宽:1MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 低输入偏置电流:1pA
  • 低失调电压:0.75mV
  • 单位增益稳定
  • 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 工作温度范围:
    -40°C 至 +125°C

All trademarks are the property of their respective owners.

参数

与其它产品相比 通用 运算放大器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Number of channels (#) Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) GBW (Typ) (MHz) Slew rate (Typ) (V/us) Rail-to-rail Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) Iq per channel (Typ) (mA) Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Offset drift (Typ) (uV/C) Features Input bias current (Max) (pA) CMRR (Typ) (dB) Output current (Typ) (mA) Architecture
TLV2313 立即下单 2     1.8     5.5     1     0.5     In
Out    
3     0.065     26     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
VSSOP | 8    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
2     Cost Optimized
EMI Hardened    
  85     15     CMOS    
OPA2313 立即下单 2     1.8     5.5     1     0.5     In
Out    
2.5     0.05     25     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SON | 8
VSSOP | 8    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8SON: 9 mm2: 3 x 3 (SON | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)    
2     EMI Hardened
Small Size    
10     80     15     CMOS    
TLV9002 立即下单 2     1.8     5.5     1     2     In
Out    
1.5     0.06     30     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SOT-23-THIN | 8
TSSOP | 8
VSSOP | 10
VSSOP | 8
WSON | 8
X2QFN | 10    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8SOT-23-THIN: 8 mm2: 2.8 x 2.9 (SOT-23-THIN | 8)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3 (TSSOP | 8)
10VSSOP: 9 mm2: 3 x 3 (VSSOP | 10)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)
8WSON: 4 mm2: 2 x 2 (WSON | 8)
10X2QFN: 3 mm2: 2 x 1.5 (X2QFN | 10)    
0.6     Cost Optimized
EMI Hardened
Shutdown
Small Size    
  90     40     CMOS    
TLV9062 立即下单 2     1.8     5.5     10     6.5     In
Out    
1.6     0.538     16     Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
SOT-23-THIN | 8
TSSOP | 8
VSSOP | 10
VSSOP | 8
WSON | 8
X2QFN | 10    
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8SOT-23-THIN: 8 mm2: 2.8 x 2.9 (SOT-23-THIN | 8)
8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3 (TSSOP | 8)
10VSSOP: 9 mm2: 3 x 3 (VSSOP | 10)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8)
8WSON: 4 mm2: 2 x 2 (WSON | 8)
10X2QFN: 3 mm2: 2 x 1.5 (X2QFN | 10)    
0.53     Cost Optimized
EMI Hardened
Shutdown
Small Size    
  103     50     CMOS