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TLV1805

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具有推挽输出和关断模式的高电压比较器

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功能与比较器件相同但引脚有所不同
TLV1811 正在供货 具有推挽输出的单通道、微功耗高压比较器 Wider supply voltage, lower offset voltage, and lower Iq

TLV1805

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产品详情

Number of channels 1 Output type Push-Pull Propagation delay time (µs) 0.25 Vs (max) (V) 40 Vs (min) (V) 3.3 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Input bias current (±) (max) (nA) 0.5 Rail-to-rail In Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Hysteresis, POR, Shutdown VICR (max) (V) 0 VICR (min) (V) 0
Number of channels 1 Output type Push-Pull Propagation delay time (µs) 0.25 Vs (max) (V) 40 Vs (min) (V) 3.3 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Input bias current (±) (max) (nA) 0.5 Rail-to-rail In Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Hysteresis, POR, Shutdown VICR (max) (V) 0 VICR (min) (V) 0
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 3.3V 至 40V 电源
  • 低静态电流：135µA
  • 高峰值电流推挽输出
  • 具有相位反转保护功能的轨至轨输入
  • 内置迟滞：14mV
  • 250ns 传播延迟
  • 低输入失调电压：500µV
  • 关断后具有高阻态输出
  • 上电复位 (POR)
  • SOT-23-6 封装
  • 3.3V 至 40V 电源
  • 低静态电流：135µA
  • 高峰值电流推挽输出
  • 具有相位反转保护功能的轨至轨输入
  • 内置迟滞：14mV
  • 250ns 传播延迟
  • 低输入失调电压：500µV
  • 关断后具有高阻态输出
  • 上电复位 (POR)
  • SOT-23-6 封装

TLV1805 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响应组合特性于一体。所有这些 特性 使该比较器非常适合 需要 在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用，例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道 MOSFET 开关的栅极。

高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色，它具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一电源轨的优势。对于需要快速 将 MOSFET 栅极 驱动至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源或与其断开的应用而言，这特别有用。其他 特性 （如低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断）它使 TLV1805 能够灵活地处理各种 应用。上电复位可防止加电时产生错误输出。

TLV1805 采用 6 引脚 SOT-23 封装，具有 –40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围。

TLV1805 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响应组合特性于一体。所有这些 特性 使该比较器非常适合 需要 在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用，例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道 MOSFET 开关的栅极。

高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色，它具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一电源轨的优势。对于需要快速 将 MOSFET 栅极 驱动至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源或与其断开的应用而言，这特别有用。其他 特性 （如低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断）它使 TLV1805 能够灵活地处理各种 应用。上电复位可防止加电时产生错误输出。

TLV1805 采用 6 引脚 SOT-23 封装，具有 –40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围。
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技术文档

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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

仿真模型

Over-Current Protection with Latched Output

SNOM675.ZIP (8 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
仿真模型

TLV1805 PSpice Model

SNOM764.ZIP (51 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

TLV1805 TINA-TI Reference Design

SNVMBP4.ZIP (8 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
设计工具

CIRCUIT060079 — 采用比较器的过压保护电路

该过压保护电路使用具有推挽输出级的高电压比较器来控制将电源连接到负载的 P 沟道 MOSFET。当电源电压超过过压阈值 (VOVER) 时，比较器的输出变为高电平，并通过打开 P 沟道 MOSFET 将负载与电源断开。同样，当电源电压低于 VOVER 时，比较器的输出为低电平并将负载连接到电源。
查看选项
设计工具

CIRCUIT060086 — 带有比较器电路的 ORing MOSFET 控制器

比较器可在 ORing 配置中用于在不同的源之间进行选择。比较器具有相对简单的电路和智能开关，可用于为负载维持电源电压。对于低压应用，比较器具有比二极管更好的优势，因为没有压降。此电路专为连接到墙壁插座、带有备用电池的系统而设计。如果主电源被切断，备用电池将为负载供电，以确保器件始终开启。电路左侧的开关网络用于为 LDO 输出建模。
查看选项
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
模拟工具

TINA-TI — 基于 SPICE 的模拟仿真程序

TINA-TI 提供了 SPICE 所有的传统直流、瞬态和频域分析以及更多。TINA 具有广泛的后处理功能，允许您按照希望的方式设置结果的格式。虚拟仪器允许您选择输入波形、探针电路节点电压和波形。TINA 的原理图捕获非常直观 - 真正的“快速入门”。

TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装，如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

TINA 是德州仪器 (TI) 专有的 DesignSoft 产品。该免费版本具有完整的功能，但不支持完整版 TINA 所提供的某些其他功能。

如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
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参考设计

TIDA-010239 — 交流级别 2 充电器平台参考设计

电动汽车服务设备 (EVSE) 改善了电力从电网安全输送至电动汽车的过程。EVSE 控制系统包括辅助功率级、非板载交流/直流高功率级（仅用于直流充电站）、电能计量单元、交流/直流剩余电流检测器、隔离监控单元、继电器和接触器，具有驱动功能、单线双向通信以及服务和用户界面。本参考设计着重介绍了具有超低待机功耗的隔离式交流/直流辅助功率级、转换器和线性稳压器、符合 IEC61851 标准且基于比较器的控制引导界面、高效继电器和接触器驱动器、插头锁定电机驱动器、用于为 RCD 应用检测交流和直流电流的磁通门电路，以及跨继电器和接触器的隔离式线路电压检测。
封装 引脚 下载
SOT-23 (DBV) 6 查看选项
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频