TLVx172 系列 36V 单电源、低噪声抗电磁干扰 (EMI) 运算放大器在 1kHz 频率下 具有 0.0002% 的 THD+N,能够在 4.5V (±2.25V) 至 36V (±18V) 的电源电压范围内正常工作。这些 特性和低噪声、高 PSRR 特性,使TLVx172能够 在 HEV 和 EV 汽车及动力传动系统、医疗仪器等应用中放大毫伏级信号。TLVx172 器件具有良好的失调电压和温漂、10MHz 高带宽和 10V/µs 压摆率,且在工作温度范围内的静态电流仅有 2.3mA(最大值)
大多数运算放大器仅有一个额定电源电压,而 TLVx172器件的额定电压范围为 4.5V 至 36V。超过电源轨的输入信号不会导致相位反转。TLVx172器件可在容性负载高达 300pF 时保持稳定。输入可在负电源轨以下 100mV 以及正电源轨 2V 之内正常运行。请注意,此系列器件可在超出正电源轨 100mV 的完整轨至轨输入范围内运行,但是在正电源轨 2V 之内运行时,性能会受到影响。
TLVx172运算放大器的额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
All trademarks are the property of their respective owners.
Part number | 立即下单 | Number of channels (#) | Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | GBW (Typ) (MHz) | Slew rate (Typ) (V/us) | Rail-to-rail | Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | Iq per channel (Typ) (mA) | Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | Rating | Operating temperature range (C) | Package Group | Package size: mm2:W x L (PKG) | Offset drift (Typ) (uV/C) | Features | CMRR (Typ) (dB) | Output current (Typ) (mA) | Architecture |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TLV172 |
|
1 | 4.5 | 36 | 10 | 10 |
In to V-
Out |
1.7 | 1.6 | 9 | Catalog | -40 to 125 |
SC70 | 5
SOIC | 8 SOT-23 | 5 |
5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2 (SC70 | 5)
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8) 5SOT-23: 5 mm2: 1.6 x 2.9 (SOT-23 | 5) |
1 |
Cost Optimized
EMI Hardened |
116 | 75 | CMOS |
TLV2172 |
|
2 | 4.5 | 36 | 10 | 10 |
In to V-
Out |
1.7 | 1.6 | 9 | Catalog | -40 to 125 |
SOIC | 8
VSSOP | 8 |
8SOIC: 19 mm2: 3.91 x 4.9 (SOIC | 8)
8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3 (VSSOP | 8) |
1 |
Cost Optimized
EMI Hardened |
116 | 75 | CMOS |
TLV4172 |
|
4 | 4.5 | 36 | 10 | 10 |
In to V-
Out |
1.7 | 1.6 | 9 | Catalog | -40 to 125 |
SOIC | 14
TSSOP | 14 |
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65 (SOIC | 14)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5 (TSSOP | 14) |
1 |
Cost Optimized
EMI Hardened |
116 | 75 | CMOS |