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SN74ALVC00-EP

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4 通道、2 输入、1.65V 至 3.6V 与非门（增强型产品）

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SN74ALVC00-EP

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产品详情

Technology family ALVC Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Ultra high speed (tpd <5ns) Data rate (max) (Mbps) 150 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family ALVC Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 3.6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 24 IOH (max) (mA) -24 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features Ultra high speed (tpd <5ns) Data rate (max) (Mbps) 150 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6
  • Controlled Baseline
    • One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
  • Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
  • Enhanced Product-Change Notification
  • Qualification Pedigree
  • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015;
    Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
  • Operates From 1.65 V to 3.6 V
  • Max tpd of 3 ns at 3.3 V
  • ±24-mA Output Drive at 3.3 V
  • Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17

Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.
  • Controlled Baseline
    • One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
  • Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
  • Enhanced Product-Change Notification
  • Qualification Pedigree
  • ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015;
    Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
  • Operates From 1.65 V to 3.6 V
  • Max tpd of 3 ns at 3.3 V
  • ±24-mA Output Drive at 3.3 V
  • Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17

Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.

The SN74ALVC00 quadruple 2-input positive-NAND gate is designed for 1.65-V to 3.6-V VCC operation.

The device performs the Boolean function Y = (A • B)\ or Y = A\ + B\ in positive logic.

The SN74ALVC00 quadruple 2-input positive-NAND gate is designed for 1.65-V to 3.6-V VCC operation.

The device performs the Boolean function Y = (A • B)\ or Y = A\ + B\ in positive logic.
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 SN74ALVC00-EP 数据表 (Rev. A) 2004年 5月 20日
* VID SN74ALVC00-EP VID V6204685 2016年 6月 21日
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应用手册 TI IBIS File Creation, Validation, and Distribution Processes 2002年 8月 29日
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应用手册 16-Bit Widebus Logic Families in 56-Ball, 0.65-mm Pitch Very Thin Fine-Pitch BGA (Rev. B) 2002年 5月 22日
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应用手册 TI SN74ALVC16835 Component Specification Analysis for PC100 1998年 8月 3日
应用手册 Logic Solutions for PC-100 SDRAM Registered DIMMs (Rev. A) 1998年 5月 13日
应用手册 Migration From 3.3-V To 2.5-V Power Supplies For Logic Devices 1997年 12月 1日
应用手册 Bus-Interface Devices With Output-Damping Resistors Or Reduced-Drive Outputs (Rev. A) 1997年 8月 1日
应用手册 CMOS Power Consumption and CPD Calculation (Rev. B) 1997年 6月 1日
应用手册 Input and Output Characteristics of Digital Integrated Circuits 1996年 10月 1日
应用手册 Live Insertion 1996年 10月 1日
应用手册 Understanding Advanced Bus-Interface Products Design Guide 1996年 5月 1日

设计和开发

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封装 引脚 下载
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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