ONET2804TLP

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具有 RSSI 的 28Gbps 低功耗 4 通道限幅跨阻放大器

产品详情

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 28000 Supply current (typ) (µA) 30000 Supply current (max) (µA) 36000 Deterministic jitter (typ) (ps) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 28000 Supply current (typ) (µA) 30000 Supply current (max) (µA) 36000 Deterministic jitter (typ) (ps) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 100
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  • 4 通道多速率操作:高达 28Gbps
  • 电源为 3V 时的功耗:每通道 90mW
  • 差动互阻抗:7.5kΩ
  • 带宽:17.5GHz
  • 输入噪声:2µArms
  • 输入过载电流:3.2mAPP
  • 可编程输出电压
  • 可调增益和带宽
  • 每通道的接收信号强度指示器 (RSSI)
  • 通道之间的隔离(仅限于裸片):40 dB
  • 单电源:2.8V 至 3.3V
  • 增耗垫控制或 2 线控制
  • 片上滤波电容器
  • 运行温度范围:–40°C 至 +100°C
  • 裸片尺寸:3250µm × 1450µm,通道间距为 750µm
  • 4 通道多速率操作:高达 28Gbps
  • 电源为 3V 时的功耗:每通道 90mW
  • 差动互阻抗:7.5kΩ
  • 带宽:17.5GHz
  • 输入噪声:2µArms
  • 输入过载电流:3.2mAPP
  • 可编程输出电压
  • 可调增益和带宽
  • 每通道的接收信号强度指示器 (RSSI)
  • 通道之间的隔离(仅限于裸片):40 dB
  • 单电源:2.8V 至 3.3V
  • 增耗垫控制或 2 线控制
  • 片上滤波电容器
  • 运行温度范围:–40°C 至 +100°C
  • 裸片尺寸:3250µm × 1450µm,通道间距为 750µm

ONET2804TLP 器件是一款用于并行光互联的高增益、限幅互阻抗放大器 (TIA),数据速率高达 28Gbps。此器件与 750µm 间距光电二极管阵列结合使用,可将光信号转换为差分输出电压。由内部电路提供光电二极管反向偏置电压并感测提供给各光电二极管的平均光电流。

该器件可配合引脚控制或两线制串口使用,从而实现对输出幅值、增益、带宽和输入阈值的控制。

ONET2804TLP 具有 17.5GHz 带宽、7.5kΩ 增益、2µArms 输入参考噪声和每通道的接收信号强度指示器 (RSSI)。通道间的 40dB 隔离可降低接收器中的串扰。

该器件需要单个 2.8V 至 3.3V 电源,每通道典型功耗为 90mW,差分输出幅度为 300 mVPP。该器件工作温度范围为 –40°C 至 +100°C,采用裸片形式,通道间距为 750µm。

ONET2804TLP 器件是一款用于并行光互联的高增益、限幅互阻抗放大器 (TIA),数据速率高达 28Gbps。此器件与 750µm 间距光电二极管阵列结合使用,可将光信号转换为差分输出电压。由内部电路提供光电二极管反向偏置电压并感测提供给各光电二极管的平均光电流。

该器件可配合引脚控制或两线制串口使用,从而实现对输出幅值、增益、带宽和输入阈值的控制。

ONET2804TLP 具有 17.5GHz 带宽、7.5kΩ 增益、2µArms 输入参考噪声和每通道的接收信号强度指示器 (RSSI)。通道间的 40dB 隔离可降低接收器中的串扰。

该器件需要单个 2.8V 至 3.3V 电源,每通道典型功耗为 90mW,差分输出幅度为 300 mVPP。该器件工作温度范围为 –40°C 至 +100°C,采用裸片形式,通道间距为 750µm。

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* 数据表 ONET2804TLP 低功耗 28 Gbps、4 通道限幅 TIA 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2017年 8月 16日

设计和开发

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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表,请参阅:SpiceRack - 完整列表 

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包含信息:
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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