LM5113-Q1

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适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
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WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 符合汽车应用 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级:–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1C
    • 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
  • 1.2A 峰值拉电流能力,5A 峰值灌电流能力
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通和关断应力
  • 0.6Ω 下拉电阻,2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 28ns)
  • 优异的传播延迟
    (典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 符合汽车应用 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级:–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1C
    • 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
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  • 高侧浮动偏置电压轨
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  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通和关断应力
  • 0.6Ω 下拉电阻,2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 28ns)
  • 优异的传播延迟
    (典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗

LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计,适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V,可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VDD 电压多高,它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力,可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外,LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力,使栅极保持低电平,从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装,可改善功耗。

LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计,适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V,可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VDD 电压多高,它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力,可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外,LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力,使栅极保持低电平,从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装,可改善功耗。

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