LM5109B 高电压 1A 峰值半桥接闸极驱动器 | 德州仪器 TI.com.cn

LM5109B
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
高电压 1A 峰值半桥接闸极驱动器

 

备选器件推荐

  • LM5102  -  Has Programmable Rising Edge Delay
  • LM5104  -  Single PWM Input, Has Adaptive Deadtime With Programmable Delay

描述

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

特性

  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间(典型值为 30ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

参数

与其它产品相比 半桥驱动器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Number of channels (#) Power switch Bus voltage (Max) (V) Peak output current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise time (ns) Fall time (ns) Prop delay (ns) Iq (uA) Input threshold Channel input logic Negative voltage handling at HS pin (V) Features Rating Operating temperature range (C) Package Group
LM5109B 立即下单 2     MOSFET     90     1     8     14     15     15     25     10     TTL     TTL     -1         Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
WSON | 8    
LM5101B 立即下单 2     MOSFET     100     2     9     14     10     10     25     10     TTL     TTL     -1         Catalog     -40 to 125     SOIC | 8
WSON | 10    
LM5101C 立即下单 2     MOSFET     100     1     9     14     10     10     25     10     TTL     TTL     -1         Catalog     -40 to 125     HVSSOP | 8
SOIC | 8
WSON | 10    
LM5102 立即下单 2     MOSFET     100     2     9     14     10     10     35     10     TTL     TTL     -1         Catalog     -40 to 125     VSSOP | 10
WSON | 10    
LM5104 立即下单 2     MOSFET     100     2     9     14     10     10     35     10     TTL     TTL     -1