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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.7 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.7 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 100 Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500V RMS 工作电压下预计寿命超过 100 年
    • 隔离等级高达 5000 V RMS
    • 浪涌能力高达 12.8 kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出 高电平 (ISO7710) 和 低电平 (ISO7710F) 选项
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,1Mbps 时的 电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns (5V 电源)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 提供汽车版本: ISO7710-Q1
  • 安全相关认证
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 100 Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500V RMS 工作电压下预计寿命超过 100 年
    • 隔离等级高达 5000 V RMS
    • 浪涌能力高达 12.8 kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出 高电平 (ISO7710) 和 低电平 (ISO7710F) 选项
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,1Mbps 时的 电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns (5V 电源)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 提供汽车版本: ISO7710-Q1
  • 安全相关认证
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO7710 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000V RMS(DW 封装)和 3000V RMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时, ISO7710 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器由双电容二氧化硅 (SiO 2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出 高电平,带后缀 F 的器件默认输出 低电平。更多详细信息,请参阅 器件功能模式 部分。

该器件与隔离式电源搭配使用,有助于防止数据总线(例如, RS-485、RS-232 和 CAN )或其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术, ISO7710 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO7710 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO7710 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000V RMS(DW 封装)和 3000V RMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时, ISO7710 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器由双电容二氧化硅 (SiO 2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出 高电平,带后缀 F 的器件默认输出 低电平。更多详细信息,请参阅 器件功能模式 部分。

该器件与隔离式电源搭配使用,有助于防止数据总线(例如, RS-485、RS-232 和 CAN )或其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术, ISO7710 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO7710 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
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设计和开发

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评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
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TI.com 上无现货
评估板

ISO7721DEVM — EMC 性能优异的 D 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块

ISO7721DEVM 是一款用于评估采用 8 引脚窄体 SOIC 封装(封装代码 - D)的高性能增强型双通道数字隔离器 ISO7721 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

ISO7741EVM — EMC 性能优异的 ISO7741 高速四通道数字隔离器评估模块

ISO7741EVM 是一款用于评估采用宽体 SOIC 封装(封装代码 - DW)的高性能增强型四通道数字隔离器 ISO7741 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
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评估板

UCC28782EVM-030 — UCC28782 有源钳位反激式转换器 65W USB-C PD EVM,具有 LMG2610 集成式 GaN 半桥

UCC28782EVM-030 采用了 UCC28782 有源钳位反激式控制器,具有高效率和高密度等特性,可适用于 65W USB Type-C™ 电力输送 (PD) 离线适配器。该输入支持 90Vac 至 264Vac 通用电压范围,电流最大值为 3A 时,单输出可设置为 5V、9V 和 15V,最大值为 3.25A 时,可设置为 20V,此设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称 250kHz 高频运行模式可实现小解决方案尺寸,而多模式运行可保持高效率。LMG2610 集成了高侧和低侧 (...)

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仿真模型

ISO7710 IBIS Model

SLLM331.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7710 PSpice Transient Model

SLLM482.ZIP (150 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-01623 — 功率密度为 30W/in3、效率高达 93.4% 的 100W 交流/直流适配器参考设计

这一经过全面测试的输参考设计是一款高效、高功率密度的交流/直流适配器解决方案,具有宽输入电压范围(100V 至 240V 交流电),适用于笔记本电脑适配器和智能手机充电器应用。此设计包括基于 UCC28056 的前端转换模式 (TM) 功率因数校正 (PFC) 电路,后跟基于 UCC28780、用于隔离式直流/直流转换的有源钳位反激式转换器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP23069 — 具有 16A 最大输入的 3kW、180W/in3 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计

该参考设计演示了一种使用 C2000 F28003x 和 F28004x 微控制器控制连续导通模式图腾柱功率因数校正转换器 (PFC) 的方法。此 PFC 还可以在并网(电流控制)模式下用作逆变器。该转换器旨在支持 16ARMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。基于 F28004x 或 F28002x 的 C2000 (...)
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-01599 — 适用于工业驱动器且经过 TÜV SÜD 评估的安全转矩关闭 (STO) 参考设计 (IEC 61800-5-2)

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2),硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入(STO_1 和 STO_2)变为低电平有效时,将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源,从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TÜV SÜD 评估,通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计

此参考设计具有两个 LMG352XR0X0 650V GaN FET,在半桥配置中集成了驱动器和保护,具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。功率级、栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的,可尽量减少电源环路的寄生电感,减少电压过冲,提升性能。插槽式外部连接配置了此设计,可方便地与外部功率级连接,在各种应用中运行 LMG352XR0X0。
测试报告: PDF
参考设计

PMP40974 — 使用有源钳位反激式控制器的高功率密度 65W USB Type-C® 充电器参考设计

此参考设计是一款采用 UCC28782 有源钳位反激式控制器的 65W 高功率密度 USB 充电器,可实现 30W/in 的功率密度。在通用交流输入范围内,20V VOUT 时的最大额定功率为 65W。VOUT 也可以调节至 20V、15V、9V 和 5V 输出电压和 3A。此设计的峰值效率达到 94%。平均效率和待机功率等级均设计为符合 DoE VI 级和 CoC 2 级限制。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 查看选项
SOIC (DW) 16 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频