产品详情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.7 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.7 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平 选项
  • 低功耗,
    1Mbps 时的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高 CMTI:±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
  • 安全及管理批准:
    • VDE 增强型隔离,符合 DIN V VDE
      V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
    • UL 1577 组件认证计划
    • CSA 组件验收通知
      5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
    • 完成 DW-16 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证
  • 符合汽车应用 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平 选项
  • 低功耗,
    1Mbps 时的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高 CMTI:±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
  • 安全及管理批准:
    • VDE 增强型隔离,符合 DIN V VDE
      V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
    • UL 1577 组件认证计划
    • CSA 组件验收通知
      5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
    • 完成 DW-16 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证

ISO7710-Q1 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO7710-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO7710-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7710-Q1 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO7710-Q1 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO7710-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO7710-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7710-Q1 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO7721DEVM — EMC 性能优异的 D 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块

ISO7721DEVM 是一款用于评估采用 8 引脚窄体 SOIC 封装(封装代码 - D)的高性能增强型双通道数字隔离器 ISO7721 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

ISO7741EVM — EMC 性能优异的 ISO7741 高速四通道数字隔离器评估模块

ISO7741EVM 是一款用于评估采用宽体 SOIC 封装(封装代码 - DW)的高性能增强型四通道数字隔离器 ISO7741 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO7710 IBIS Model

SLLM331.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7710 PSpice Transient Model

SLLM482.ZIP (150 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-01543 — 具有过流检测功能且适用于牵引逆变器的隔离式电流检测参考设计 (±300A)

本参考设计可检测牵引电机的相电流。TIDA-01543 实现了隔离式电流传感器。使用 AMC1305M05-Q1 Δ-Σ 调制器和 INA301-Q1 器件,可精确进行基于分流电阻的内嵌式电机相电流检测。该调制器具有高 CMTI,有助于抑制逆变器开关瞬变在控制器侧造成数据损坏。INA301-Q1 的快速响应时间可以加快针对过流事件的响应速度。TIDA-01543 提供了一个用于连接到外部 MCU 的接口,可以在该 MCU 中实现数字 SINC 滤波器以解调 AMC1305M05 输出位流。本参考设计使用 C2000 系列符合汽车标准的 F280049M Piccolo™ (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 查看选项
SOIC (DW) 16 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频