产品详情

Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 47 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 0 Sleep current (µA) 14 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 47 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 0 Sleep current (µA) 14 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Current Regulation, Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 单通道 H 桥栅极驱动器
    • 驱动 四个外部 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比
  • 工作电源电压范围:5.5V 至 45V
  • 三个控制接口选项
    • PH/EN、独立 H 桥和 PWM
  • 用于配置的串行接口 ( DRV8703-Q1)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
  • 每个 H 桥独立控制
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 电流分流放大器
  • 集成 PWM 电流调节功能
  • 低功耗睡眠模式
  • 保护特性
    • 电源欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定
    • 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热关断 (TSD)
    • 监视器计时器 ( DRV8703-Q1)
    • 故障调节输出 (nFAULT)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 功能安全型
  • 单通道 H 桥栅极驱动器
    • 驱动 四个外部 N 沟道 MOSFET
    • 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比
  • 工作电源电压范围:5.5V 至 45V
  • 三个控制接口选项
    • PH/EN、独立 H 桥和 PWM
  • 用于配置的串行接口 ( DRV8703-Q1)
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
  • 每个 H 桥独立控制
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 电流分流放大器
  • 集成 PWM 电流调节功能
  • 低功耗睡眠模式
  • 保护特性
    • 电源欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定
    • 过流保护 (OCP)
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热关断 (TSD)
    • 监视器计时器 ( DRV8703-Q1)
    • 故障调节输出 (nFAULT)

DRV870x-Q1 器件是一款小型单通道 H 桥栅极驱动器,它使用四个外部 N 通道 MOSFET,旨在驱动一个双向有刷直流电机。

PH/EN、独立 H 桥或 PWM 接口允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持,而且可用于驱动外部反向电池开关。

独立半桥模式支持半桥共享,能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路,能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。

DRV870x-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术,因此无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时可为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题,在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,而且可防止任何栅极短路问题。此外,该架构中还包括主动和被动下拉特性,可防止任何 dv/dt 栅极导通。

DRV870x-Q1 器件是一款小型单通道 H 桥栅极驱动器,它使用四个外部 N 通道 MOSFET,旨在驱动一个双向有刷直流电机。

PH/EN、独立 H 桥或 PWM 接口允许轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持,而且可用于驱动外部反向电池开关。

独立半桥模式支持半桥共享,能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路,能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。

DRV870x-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术,因此无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时可为外部 FET 提供保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题,在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,而且可防止任何栅极短路问题。此外,该架构中还包括主动和被动下拉特性,可防止任何 dv/dt 栅极导通。

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技术文档

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DRV8703-Q1EVM — DRV8703-Q1 汽车类有刷直流栅极驱动器评估模块

DRV8703-Q1EVM(评估模块)作为一款评估套件,可用于演示 TI 的 DRV8703-Q1 H 桥栅极驱动器。MSP430G2553 用于控制占空比和电机方向,同时还监测 DRV8703-Q1 报告的电机电流。使用 DRV8703-Q1 汽车 H 桥栅极驱动器和 CSD18540Q5B N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET 打造功率级。此 EVM 是一个高性能、受保护且具有成本效益的平台,可减少开发开销,加快上市速度。提供了用户友好型应用,可使用最少的外部设备快速实现 EVM 运行。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
支持软件

SLVC673 DRV8703-Q1EVM Software

lock = 需要出口许可(1 分钟)
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
有刷直流 (BDC) 电机驱动器
DRV8703-Q1 具有 SPI 控制功能的汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器
硬件开发
评估板
DRV8703-Q1EVM DRV8703-Q1 汽车类有刷直流栅极驱动器评估模块
仿真模型

DRV8701E Transient Simulation Model (Rev. A)

SLVMAR3A.ZIP (90 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-01389 — 小型天窗电机模块参考设计

本参考设计是一款小尺寸电机控制模块,可用于天窗和车窗升降应用。该设计采用了 DRV8703-Q1 栅极驱动器,该驱动器具有集成电流分流放大器和两个通过汽车认证的双封装 MOSFET。与典型继电器解决方案相比,该设计旨在打造一个尺寸超小的功率级布局。它还包括两个用于对电机位置进行编码的 DRV5013-Q1 锁存霍尔传感器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-020008 — 车用电动座椅参考设计

此参考设计提供了使用双向和单向电机驱动器的电机驱动应用(如汽车电动座椅)的驱动和控制电路。它演示了如何驱动具有小电路板尺寸、高度可靠性和完整诊断特性的刷式直流电机。该设计说明了用于增加电机驱动舒适性和便利性选项以及使用更智能的全功能器件替代基于继电器的电路的解决方案。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-060009 — 汽车动力后备箱升降电机驱动器参考设计

此设计介绍如何驱动汽车后备箱升降器。

该设计采用了刷式 BD 升降电机和电磁离合器驱动机制,实现了典型的齿轮驱动升降功能。该设计包含警告蜂鸣器、LED 指示灯和使用汽车电机驱动器和高侧开关的双向控制模块。带压摆率控制功能的电流控制型栅极驱动器有助于提高 MOSFET 效率和降低开关尖峰。

该设计是一款可轻松实现的稳健设计,与继电器解决方案相比,本设计减少了组件数量并且节省了布板空间。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
VQFN (RHB) 32 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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