CSD96371Q5M

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20V 30A SON 5 x 6mm 同步降压 NexFET™ 功率级

产品详情

VDS (V) 25 Ploss current (A) 25
VDS (V) 25 Ploss current (A) 25
LSON-CLIP (DQP) 22 30 mm² 6 x 5
  • 30A 电流下 92% 的系统效率
  • 高频工作(高达 2MHz)
  • 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
  • 低功率损耗,30A 时为 3.4W
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 3 态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 预偏置启动保护
  • 击穿保护
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层无卤素
  • 30A 电流下 92% 的系统效率
  • 高频工作(高达 2MHz)
  • 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
  • 低功率损耗,30A 时为 3.4W
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 3 态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 预偏置启动保护
  • 击穿保护
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层无卤素

CSD96371Q5M NexFET 功率级的设计针对高功率高密度同步降压转换器中的使用进行了优化。 这个产品集成了栅极驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外,已经对 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

CSD96371Q5M NexFET 功率级的设计针对高功率高密度同步降压转换器中的使用进行了优化。 这个产品集成了栅极驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外,已经对 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 同步降压NexFET™ 功率级 数据表 英语版 PDF | HTML 2012年 12月 27日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日

设计和开发

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封装 引脚 下载
LSON-CLIP (DQP) 22 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频