ZHCSG72 April 2017 CSD87313DMS
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 低源极至源极导通电阻
- 双共漏极 N 通道 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
2 应用范围
- USB Type-C™和电力输送 (PD) VBus 保护
- 电池保护
- 负载开关
3 说明
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
原理图
产品概要
| TA = 25°C | 数值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源极 1 到源极 2 电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 28 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 6.0 | nC | |
| RS1S2(on) | 源极 1 到源极 2 最大导通电阻 | VGS = 2.5V | 9.6 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 5.5 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 0.9 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD87313DMS | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 3.30mm × 3.30mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD87313DMST | 250 | 7 英寸卷带 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C 时测得，除非另外注明 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源极 1 到源极 2 电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压(1) | ±10 | V |
| IS1S2 | 持续源极电流(2) | 17 | A |
| ISM | 脉冲源极电流，TA = 25°C 时测得(2)(3) | 120 | A |
| PD | 功率耗散(2) | 2.7 | W |
| 功率耗散(4) | 1 | ||
| TJ，Tstg | 工作结温， 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲， ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
67 | mJ |
- VG1S1 不应超过 ±10V，VG2S2 不应超过 ±10V。
- 典型 RθJA = 45°C/W（当在 0.06 英寸 [1.52mm] 厚的 FR4 PCB 上将其安装在 1 平方英寸 [6.45cm2] 2oz [0.071mm] 厚的铜焊盘上时）。
- 占空比 ≤ 2%，脉冲持续时间 ≤ 300µs。
- 典型 RθJA = 125°C/W（在 2oz 铜焊盘上）。
RS1S2(ON) 与 VGS 对比 |
栅极电荷 |