ZHCSEH8 November   2015 CSD85302L

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 封装尺寸
    2. 7.2 推荐的 PCB 布局
    3. 7.3 推荐的模板布局
    4. 7.4 Q3A 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YME|4
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

2 应用

  • USB Type-C/PD
  • 电池管理
  • 电池保护

3 说明

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

俯视图
CSD85302L Pin_Map.png
配置
CSD85302L Configuration.gif

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产品概要

TA=25°C 典型值 单位
VS1S2 源源电压 20 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 6 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 1.4 nC
RS1S2(on) 源源导通电阻 VGS = 2.5V 29 mΩ
VGS = 4.5V 20 mΩ
VGS = 6.5V 18.7 mΩ
VGS(th) 阈值电压 0.9 V

订购信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 运输
CSD85302L 3000 7 英寸卷带 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装 卷带封装
CSD85302LT 250
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VS1S2 源源电压 20 V
VGS 栅源电压 ±10 V
IS 持续源极电流(1) 7 A
ISM 脉冲源极电流(2) 37 A
PD 功率耗散(1) 1.7 W
V(ESD) 人体放电模式 (HBM) 2.5 kV
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
  1. RθJA = 75℃/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. RθJA = 90℃/W（最大值），脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

.

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD85302L D007_SLPS558.gif

.

栅极电荷

CSD85302L D004_SLPS558_FP.gif