CSD43301Q5M

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NexFET™ 智能同步整流器

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VDS (V) 12 Power loss (W) 0.88 Ploss current (A) 40 Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 80 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features Powerstack vertical FET integration Rating Catalog
VDS (V) 12 Power loss (W) 0.88 Ploss current (A) 40 Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 80 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features Powerstack vertical FET integration Rating Catalog
LSON-CLIP (DQP) 12 30 mm² 6 x 5
  • VDD为 4.5V 时,Ron为 55mΩ(典型值)
  • 集成
  • 最大额定电流 80A
  • 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 与 TTL IN 信号兼容
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层无卤素
  • VDD为 4.5V 时,Ron为 55mΩ(典型值)
  • 集成
  • 最大额定电流 80A
  • 高密度 — 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 与 TTL IN 信号兼容
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层无卤素

CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款针对高功率高密度 DC/DC 转换器内的次级同步整流而进行了高度优化的设计。 这个产品集成有驱动器集成电路 (IC) 和超低功耗 Ron功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善同步整流功能。 此外,已经对印刷电路板 (PCB) 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款针对高功率高密度 DC/DC 转换器内的次级同步整流而进行了高度优化的设计。 这个产品集成有驱动器集成电路 (IC) 和超低功耗 Ron功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善同步整流功能。 此外,已经对印刷电路板 (PCB) 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 NexFET™ 智能同步整流器 数据表 (Rev. B) 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2013年 6月 25日
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 12月 5日

设计和开发

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仿真模型

CSD43301Q5M PSpice Model

SLPM057.ZIP (9 KB) - PSpice Model
封装 引脚 下载
LSON-CLIP (DQP) 12 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频