ZHCSBM7D September 2013  – October 2014 CSD25481F4

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1商标
    2. 6.2静电放电警告
    3. 6.3术语表
  7. 7机械数据
    1. 7.1机械尺寸
    2. 7.2推荐的最小 PCB 布局
    3. 7.3推荐的模板布局
    4. 7.4CSD25481F4 压纹载带尺寸

1 特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1mm x 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

2 应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

3 说明

这款 90mΩ,20V P 通道 FemtoFET™ MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

典型部件尺寸
CSD25481F4 top_image_SLPS447.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-20V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)913pC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)153pC
RDS(on)漏源
导通电阻
VGS = –1.8V395
VGS = -2.5V145
VGS = -4.5V90
VGS(th)阈值电压-0.95V

订购信息(1)

器件数量介质 封装 出货
CSD25481F430007 英寸卷带Femto (0402)
1.0mm × 0.6mm
焊盘栅格阵列 (LGA)
卷带封装
CSD25481F4T2507 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 时测得,除非另外注明单位
VDS漏源电压-20V
VGS栅源电压-12V
ID持续漏极电流(1)-2.5A
IDM脉冲漏极电流(2)-10A
IG持续栅极钳位电流-35mA
脉冲栅极钳位电流(2)-350
PD功率耗散(1)500mW
V(ESD)人体放电模式 (HBM)4kV
组件充电模式 (CDM)2kV
TJ
Tstg
运行结温和
储存温度范围
-55 至 150°C
  1. RθJA = 85°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2),2 盎司(厚度为 0.071 mm)的铜过渡垫片上测得的典型值
  2. 脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%
顶视图
CSD25481F4 Top_View2.gif

4 修订历史记录

Changes from C Revision (February 2014) to D Revision

  • Corrected timing VDS to read –10 V Go

Changes from B Revision (February 2013) to C Revision

  • Corrected capacitance units to read pF in Figure 5Go

Changes from A Revision (December 2013) to B Revision

  • 已更新特性中的无铅且无卤素特性Go
  • 已添加 IG 参数Go
  • Lowered IDSS limitGo
  • Lowered IGSS limitGo

Changes from * Revision (September 2013) to A Revision

  • 已删除大型卷带信息并已添加小卷带信息Go
  • Removed UIS graphGo
  • 已更正器件名称Go