CSD25480F3 SLPS579 可用文献编号 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD25480F3 (正在供货)

SLPS579 可用文献编号

 

描述

这款 –20V、110mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。





特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.73mm x 0.64mm
  • 薄型
    • 最大高度为 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

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参数 与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
Id peak (Max) (A)
Id max cont (A)
QG typ (nC)
QGD typ (nC)
QGS typ (nC)
VGSTH typ (V)
Package (mm)
Rating
CSD25480F3 CSD23280F3 CSD23382F4 CSD25213W10 CSD25481F4 CSD25483F4 CSD25484F4 CSD25485F5 CSD25501F3
-20     -12     -12     -20     -20     -20     -20     -20     -20    
-12     -6     -8     -6     -12     -12     -12     -12     -20    
Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single    
159     116     76     47     105     245     109     42     76    
260     165     105     67     175     390     180     70     125    
840     250     199       800     1070     825     250     260    
-10.4     -11.4     -22     -16     -10     -6.5     -22     -31     -13.6    
-1.7     -1.8     -3.5     -1.6     -2.5     -1.6     -2.5     -5.3     -3.6    
0.7     0.95     1.04     2.2     0.913     0.96     1.09     2.7     1.02    
0.1     0.068     0.15     0.14     0.153     0.16     0.15     0.56     0.09    
0.26     0.3     0.5     0.74     0.24     0.25     0.35     0.67     0.45    
-0.95     -0.65     -0.8     -0.85     -0.95     -0.95     -0.95     -0.95     -0.75    
LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x1.0     WLP 1.0x1.0     LGA 0.6x1.0     LGA 0.6x1.0     LGA 0.6x1.0     LGA 0.8x1.5     LGA 0.6x0.7    
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