ZHCSEC9 November 2015 CSD25404Q3

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1社区资源
    2. 6.2商标
    3. 6.3静电放电警告
    4. 6.4Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1CSD25404Q3 封闭尺寸
    2. 7.2建议 PCB 布局
    3. 7.3建议模板开口
    4. 7.4Q3 卷带信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 低 RDS(on)
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

2 应用

  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

3 说明

这款 -20V、5.5mΩ NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装,可提供出色的封装散热性能。

顶视图
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产品概要

TA=25°C 典型值单位
VDS 漏源电压-20V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V)10.9nC
Qgd 栅漏栅极电荷2.2nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = –1.8V40
VGS = -2.5V10.1
VGS = -4.5V5.5
Vth 阈值电压-0.9V

订购信息(1)

器件数量包装介质 封装 运输
CSD25404Q3250013 英寸卷带 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装卷带式
CSD25404Q3T2507 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压-20V
VGS 栅源电压±12V
ID 持续漏极电流,TC = 25°C –104A
持续漏极电流(受封装限制)-60
持续漏极电流(1) –18
IDM 脉冲漏极电流(2) –240A
PD 功耗(1) 2.8W
功耗,TC = 25°C 96
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
  1. RθJA = 45°C/W,这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 铜过渡垫片(2 盎司)上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.3,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD25404Q3 D007_SLPS570.gif

栅极电荷

CSD25404Q3 D004_SLPS570_FP.gif