CSD23382F4 P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD23382F4 (正在供货)

P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

 

描述

此 66mΩ,12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 低高度
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 2kV 人体模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅端子镀层
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

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参数 与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
Id peak (Max) (A)
Id max cont (A)
QG typ (nC)
QGD typ (nC)
QGS typ (nC)
VGSTH typ (V)
Package (mm)
Rating
CSD23382F4 CSD23280F3 CSD25480F3 CSD25501F3
-12     -12     -20     -20    
-8     -6     -12     -20    
Single     Single     Single     Single    
76     116     159     76    
105     165     260     125    
199     250     840     260    
-22     -11.4     -10.4     -13.6    
-3.5     -1.8     -1.7     -3.6    
1.04     0.95     0.7     1.02    
0.15     0.068     0.1     0.09    
0.5     0.3     0.26     0.45    
-0.8     -0.65     -0.95     -0.75    
LGA 0.6x1.0     LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x0.7    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    

设计工具