CSD23382F4 P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD23382F4 (正在供货) P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

 

描述

此 66mΩ,12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 低高度
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 2kV 人体模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅端子镀层
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm) Rating
CSD23382F4 立即下单 -12     -8     Single     76     105     199     -22     -3.5     1.04     0.15     0.5     -0.8     LGA 0.6x1.0     Catalog    
CSD23280F3 立即下单 -12     -6     Single     116     165     250     -11.4     -1.8     0.95     0.068     0.3     -0.65     LGA 0.6x0.7     Catalog    
CSD25480F3 立即下单 -20     -12     Single     159     260     840     -10.4     -1.7     0.7     0.1     0.26     -0.95     LGA 0.6x0.7     Catalog    
CSD25501F3 立即下单 -20     -20     Single     76     125     260     -13.6     -3.6     1.02     0.09     0.45     -0.75     LGA 0.6x0.7     Catalog