ZHCSD48A December 2014  – August 2016 CSD23203W

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1CSD23203W 封装尺寸
    2. 7.2焊盘布局建议
    3. 7.3卷带封装信息

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 小尺寸
  • 低厚度,0.62mm 高
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装

应用

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

说明

这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图
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产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压-8V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V)4.9nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)0.6nC
RDS(on) 漏源
导通电阻
VGS = –1.8V35
VGS = -2.5V22
VGS = -4.5V16.2
VGS(th) 电压阈值-0.8V

器件信息(1)

器件数量包装介质封装运输
CSD23203W30007 英寸卷带1.00mm × 1.50mm
晶圆级封装
卷带封装
CSD23203WT2507 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C单位
VDS 漏源电压-8V
VGS 栅源电压-6V
ID 持续漏极电流(1) –3A
IDM 脉冲漏极电流(2) –54A
PD 功率耗散0.75W
TJ,
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
  1. 器件在 105ºC 温度下运行。
  2. 典型 RθJA = 170°C/W,脉宽 ≤ 100 μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 对比

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栅极电荷

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