CSD22206W 8V P 沟道 NexFET 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD22206W (正在供货)

8V P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

8V P 沟道 NexFET 功率 MOSFET - CSD22206W
 

描述

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限 应用。

特性

  • 超低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

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参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
Rating
CSD22206W CSD22202W15 CSD22204W CSD22205L
-8     -8     -8     -8    
-6     -6     -6     -6    
Single     Single     Single     Single    
5.7     12.2     9.9     9.9    
9.1     17.4     14     15    
      40    
-108     -48     -80     -71    
-5     -5     -5     -7.4    
11.2     6.5     18.9     6.5    
1.8     1     4.2     1    
2.1     1.6     3.2     1.2    
-0.7     -0.8     -0.7     -0.7    
WLP 1.5x1.5     WLP 1.5x1.5     WLP 1.5x1.5     LGA 1.2x1.2    
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