ZHCSGA1 May 2017 CSD22206W

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1CSD22206W 封装尺寸
    2. 7.2建议的焊盘图案

特性

  • 超低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 负载开关 应用范围
  • 电池管理
  • 电池保护

说明

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限 应用。

顶视图和电路配置
CSD22206W Pin_Map_and_Circuit_Configuration_P3.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压-8V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V)11.2nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)1.8nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = -2.5V6.8
VGS = -4.5V4.7
VGS(th) 阈值电压 -0.7V

器件信息

器件数量包装介质封装运输
CSD22206W30007 英寸卷带1.50mm × 1.50mm
晶圆级球状引脚栅格阵列 (BGA) 封装
卷带封装
CSD22206WT250

绝对最大额定值

TA = 25°C单位
VDS漏源电压-8V
VGS栅源电压-6V
ID持续漏极电流(1)-5A
脉冲漏极电流(2)–108A
PD 功率耗散1.7W
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
  1. 器件在 105ºC 温度下运行.
  2. 典型 RθJA = 75°C/W(安装于具有最大铜安装区域的 FR4 材料),脉宽 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD22206W D007_SLPS636.gif

栅极电荷

CSD22206W D004_SLPS636_FP.gif