ZHCSGI4A May 2017  – August 2017 CSD22205L

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1CSD22205L 封装尺寸
    2. 7.2焊盘布局建议
    3. 7.3模版建议

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YMG|4
订购信息

特性

  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 扁平设计,高度为 0.35mm
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

应用

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

说明

该 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

顶视图和电路配置
CSD22205L Pin_Map_and_Circuit_Configuration.gif

产品概要

TA = 25°C单位
VDS 漏源电压–8V
Qg 总栅极电荷 (–4.5V)6.5nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)1.0nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = –1.5V30
VGS = –1.8V20
VGS = –2.5V11.5
VGS = –4.5V8.2
VGS(th) 阈值电压–0.7V

器件信息(1)

器件数量包装介质封装发货
CSD22205L30007 英寸卷带1.20mm × 1.20mm
基板栅格阵列
封装
卷带封装
CSD22205LT250
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C单位
VDS 漏源电压–8V
VGS 栅源电压–6V
ID 持续漏极电流(1)–7.4A
IDM 脉冲漏极电流(2)–71A
PD 功率耗散(1)0.6W
TJ
Tstg
工作结温、
储存温度
–55 至 150°C
  1. RθJA = 225°C/W(覆铜面积最小时的值)。
  2. 脉宽 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 之间的关系

CSD22205L D007_SLPS622.gif

RDS(on) 与 VGS 之间的关系

CSD22205L D004_SLPS622_FP.gif