ZHCSF23A May 2016 – March 2017 CSD19538Q3A
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
2 应用范围
- 以太网供电 (PoE)
- 电源设备 (PSE)
- 电机控制
3 说明
这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
俯视图
产品概要
| TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 4.3 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 0.8 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 58 | mΩ |
| VGS = 10V | 49 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 3.2 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19538Q3A | 13 英寸卷带 | 3000 | 小外形尺寸无引线 (SON) 3.30mm × 3.30mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD19538Q3AT | 7 英寸卷带 | 250 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA=25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 15 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 14 | ||
| 持续漏极电流(1) | 4.9 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 37 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.8 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 23 | ||
| TJ， Tstg |
工作结温， 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 12.7A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
8.1 | mJ |
- RθJA = 45°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 5.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
