CSD19537Q3 CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19537Q3 (正在供货)

CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
IDM, max pulsed drain current (Max) (A)
QG typ (nC)
QGD typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH typ (V)
ID, silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic level
Rating
CSD19537Q3 CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19534Q5A CSD19538Q2 CSD19538Q3A
100     100     100     100     100     100     100    
  Single     Single     Single     Single     Single     Single    
14.5     6.4     4.9     9.5     15.1     59     61    
219     337     400     231     137     34.4     36    
16     37     48     27     17     4.3     4.3    
2.9     6.6     8.7     4.9     3.2     0.8     0.8    
SON3x3     SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON2x2     SON3x3    
20     20     20     20     20     20     20    
3     2.7     2.6     2.8     2.8     3.2     3.2    
53     110     140     75     44     13.1     13.7    
50     100     100     100     40     14.4     15    
No     No     No     No     No     No     No    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    

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