CSD19537Q3 CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19537Q3 (正在供货)

CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level Rating
CSD19537Q3 立即下单 100     Single     14.5     219     16     2.9     SON3x3     20     3     53     50     No     Catalog    
CSD19531Q5A 立即下单 100     Single     6.4     337     37     6.6     SON5x6     20     2.7     110     100     No     Catalog    
CSD19532Q5B 立即下单 100     Single     4.9     400     48     8.7     SON5x6     20     2.6     140     100     No     Catalog    
CSD19533Q5A 立即下单 100     Single     9.5     231     27     4.9     SON5x6     20     2.8     75     100     No     Catalog    
CSD19534Q5A 立即下单 100     Single     15.1     137     17     3.2     SON5x6     20     2.8     44     40     No     Catalog    
CSD19538Q2 立即下单 100     Single     59     34.4     4.3     0.8     SON2x2     20     3.2     13.1     14.4     No     Catalog    
CSD19538Q3A 立即下单 100     Single     61     36     4.3     0.8     SON3x3     20     3.2