CSD19534Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19534Q5A (正在供货)

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A

 

描述

这款 100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 电机控制

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
IDM, max pulsed drain current (Max) (A)
QG typ (nC)
QGD typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH typ (V)
ID, silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic level
Rating
CSD19534Q5A CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19537Q3
100     100     100     100     100    
Single     Single     Single     Single      
15.1     6.4     4.9     9.5     14.5    
137     337     400     231     219    
17     37     48     27     16    
3.2     6.6     8.7     4.9     2.9    
SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON3x3    
20     20     20     20     20    
2.8     2.7     2.6     2.8     3    
44     110     140     75     53    
40     100     100     100     50    
No     No     No     No     No    
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