ZHCSBW6B December   2013  – May 2017 CSD19532Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
订购信息

特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

应用范围

  • 针对离线和隔离式直流 - 直流转换器的同步整流器
  • 电机控制

说明

这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

顶视图
CSD19532Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压100V
Qg 栅极电荷总量 (10V)48nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极8.7nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS= 6V4.6
VGS = 10V4
VGS(th) 阈值电压2.6V

.
订购信息(1)

器件介质数量封装出货
CSD19532Q5B13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm
塑料封装
卷带封装
CSD19532Q5BT 13 英寸卷带250
  1. 要了解所有可用封装,请参见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压100V
VGS 栅源电压±20V
ID 持续漏极电流(受封装限制)100A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得140
持续漏极电流(1) 17
IDM 脉冲漏极电流(2) 400A
PD 功率耗散(1) 3.1W
功率耗散,TC = 25°C 195
TJ,Tstg 运行结温和
储存温度范围
-55 至 150°C
EAS 雪崩能量,单脉冲
ID = 74A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
274mJ
  1. RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD19532Q5B graph07_SLPS414.png

栅极电荷

CSD19532Q5B graph04_SLPS414.png