ZHCSCO7B June 2014 – April 2017 CSD17573Q5B
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 超低导通电阻 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
- 已针对同步 FET 应用进行 优化
3 说明
此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
俯视图
产品概要
| TA=25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 49 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 11.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 1.19 | mΩ |
| VGS = 10V | 0.84 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.4 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17573Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5.00-mm × 6.00-mm 塑料封装 |
卷带封装 |
| CSD17573Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 332 | ||
| 持续漏极电流(1) | 43 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 400 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.2 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 195 | ||
| TJ， Tstg |
工作结温， 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 76，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
289 | mJ |
- RθJA = 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
- 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |