ZHCSCO7B June 2014  – April 2017 CSD17573Q5B

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1Q5B 封装尺寸
    2. 7.2建议 PCB 布局
    3. 7.3建议模板布局
    4. 7.4Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
订购信息

特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 已针对同步 FET 应用进行 优化

说明

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

俯视图
CSD17573Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA=25°C 典型值单位
VDS 漏源极电压30V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V)49nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)11.9nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 4.5V1.19
VGS = 10V0.84
VGS(th) 阈值电压1.4V

器件信息(1)

器件数量包装介质封装运输
CSD17573Q5B250013 英寸卷带SON
5.00-mm × 6.00-mm
塑料封装
卷带封装
CSD17573Q5BT2507 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C单位
VDS 漏源极电压30V
VGS 栅源电压±20V
ID 持续漏极电流(受封装限制)100A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得332
持续漏极电流(1)43
IDM 脉冲漏极电流(2)400A
PD 功率耗散(1)3.2W
功率耗散,TC = 25°C195
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
EAS 雪崩能量,单一脉冲
ID = 76,L = 0.1mH,RG = 25Ω
289mJ
  1. RθJA = 40°C/W,这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD17573Q5B graph07_SLPS492.png

栅极电荷

CSD17573Q5B graph04_SLPS492_frontpage.png