CSD17318Q2 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD17318Q2 (正在供货)

30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

 

描述

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 低电容和电荷
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level Rating
CSD17318Q2 立即下单 30     Single     16.9       68     6     1.3     SON2x2     20     10     0.9     25     22     Yes     Catalog    
CSD13202Q2 立即下单 12     Single     9.3       76     5.1     0.76     SON2x2     9.1     8     0.8       22     Yes     Catalog    
CSD17313Q2 立即下单 30     Single     32       20     2.1     0.4     SON2x2       10     1.3       5     Yes     Catalog    
CSD17571Q2 立即下单 30     Single     29     24     39     2.4     0.6     SON2x2       20     1.6       22     Yes     Catalog