CSD17318Q2 (正在供货)

CSD17318Q2 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

 

描述

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 低电容和电荷
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
CSD17318Q2 CSD13202Q2 CSD17313Q2 CSD17571Q2
30    12    30    30   
Single    Single    Single    Single   
16.9    9.3    32    29   
      24   
68    76    20    39   
6    5.1    2.1    2.4   
1.3    0.76    0.4    0.6   
SON2x2    SON2x2    SON2x2    SON2x2   
20    9.1       
13.9    7.5    26    24   
10    8    10    20   
0.9    0.8    1.3    1.6   
25         
22    22    5    22