ZHCSGE6A February 2017  – July 2017 CSD17318Q2

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Characteristics
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械数据
    1. 7.1Q2 封装尺寸
      1. 7.1.1建议 PCB 布局
      2. 7.1.2推荐的模版布局
    2. 7.2Q2 卷带信息

特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 低电容和电荷
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

应用

  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 优化负载开关 应用
  • 直流/直流转换器
  • 电池和负载管理 应用

说明

这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。

顶视图
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产品概要

TA = 25°C典型值单位
VDS 漏源电压30V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V)6.0nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)1.3nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 2.5V20
VGS = 4.5V13.9
VGS = 8V12.6
VGS(th) 阈值电压 0.9V

器件信息(1)

器件型号数量包装介质 封装 运输
CSD17318Q230007 英寸卷带SON
2.00mm × 2.00mm
塑料封装
卷带封装
CSD17318Q2T250
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C单位
VDS漏源电压30V
VGS栅源电压±10V
ID 持续漏极电流(受封装限制)21.5A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得25
持续漏极电流(1)10
IDM脉冲漏极电流,TA = 25°C 时测得(2) 68A
PD功率耗散(1)2.5W
功率耗散,TC = 25°C16
TJ
TSTG
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
EAS雪崩能量,单脉冲,
ID = 12.4A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
7.7mJ
  1. RθJA = 55°C/W,这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 7°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

导通电阻与栅极至源极电压

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栅极电荷

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