产品结构树

氮化镓 (GaN) 解决方案

通过 TI 易于使用的集成型可靠 GaN 解决方案实现世界级功率密度。

GaN FET 模块

将 GaN FET 和驱动器集成在方便易用的单个封装中。

GaN FET 驱动器

屡获殊荣的高速栅极驱动器,可实现高功率密度并简化设计,具有单通道和双通道低侧配置以及高侧/低侧配置。

GaN FET 控制器

模拟和数字控制器轻松与 GaN 产品配对以支持各种高频应用。

为何使用 GaN?

  • 低输入和输出电容可降低硬开关转换器中的开关损耗,并在硬开关转换器和软开关转换器中实现更高的开关频率。
  • 硬开关半桥转换器中具有接近零的反向恢复电荷损耗,因此可实现新的拓扑结构,如图腾柱 PFC。
  • 大幅减少的开关损耗可缩短过渡期,并带来更快的开关速度,同时减少或取消散热器。

下载氮化镓与硅白皮书(PDF,946KB)

为何选择 TI 的集成式 GaN FET 模块?

  • 方便易用的单个 QFN 封装取代三个 CSP。
  • 优化布局可最大限度降低电感,从而实现尽可能最低的开关损耗及干净的波形。增大的引线间距可满足爬电要求并且无需使用底层填料。
  • 增加功率密度,最大限度提高 dV/dt 抗扰度,并优化驱动力以便提高效率和降低噪声。

下载集成性白皮书(PDF,1MB)

方便易用:更快上手

GaN 解决方案系列提供丰富的硬件资源和书面培训,可使客户方便地评估和使用 GaN。

  • 便捷的硬件开发板(例如 LMG3410-HB-EVM 和 LMG34xx-BB-EVM)为 TI 高电压 GaN 提供了一套快速入门工具套件
  • 灵活易用的 LMG5200EVM 可评估众多不同直流/直流转换器拓扑中的性能
  • 详尽的应用手册和模型
  • Power house 博客和 GaN E2E 论坛提供专业知识

查看所有 GaN 工具和资源

可靠性

德州仪器 (TI) 作为半导体技术行业的领导者,长期向市场推出可靠的半导体产品,其中包括铁电随机存取存储器 (FRAM) 等非硅技术,并在这些方面拥有丰富经验。我们提供 GaN 相关鉴定方法和应用相关测试,因此非常适合向市场推出可靠的 GaN 产品。

下载可靠性白皮书(PDF,892KB)

GaN 生态系统

TI 致力于通过发展 GaN 生态系统来支持新的和独特的拓扑结构,从而减少应用障碍:

  • LMG3410 为集成了 600V 驱动器的 GaN FET 功率级
  • TPS53632G 是一种专为 48:POL 应用中的 GaN 优化的模拟控制器
  • UCD3138a 通过 TI GaN 支持效率高达 99% 的 PFC 图腾柱拓扑
  • LM5113 驱动器可实现分立式 GaN FET 解决方案

GaN 设计支持

TI E2E 社区

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GaN 参考设计

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