TI 的 NexFET™ 桥式同步整流功率 MOSFET 模块
最高效率、频率和功率密度，尺寸为分立 MOSFET 的一半
| CSD86330Q3D | CSD86350Q5D | |
| Vds | 25 | 25 |
| Vgs | 10 | 10 |
| 典型功率损耗 (W) | 1.9 | 2.8 |
| 封装 | 3.3 x 3.3 mm SON | 5 x 6 mm SON |
| 样片 |  |
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| EVM | |
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特性和优势
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