电信和其它领域中的速度是关键的应用需要超高的开关速度，这只有通过将双极晶体管添加到高性能模拟 CMOS 工艺中才能实现。TI 在开发 BiCMOS 工艺的领导地位为我们在创建高速模拟和混合信号产品（例如具有广泛的动态范围和高带宽放大器的高分辨率数据转换器）上提供了一个转折点。出众的速度、串扰和抖动功能提高了诸如缓冲转换器、交叉点交换器和均衡器等接口器件的性能。

诸如此类产品补充了无线基础设施设备中的高级数字信号处理器 (DSP) 产品（如基站和电子消费设备），从而将多通道容量和宽带封装到更小的空间。

BiCom3

BiCom3 NPN 和 PNP 晶体管的剖面图

BiCom3 高速 BiCMOS 工艺专门为信号调节和数据转换中的异常高频操作设计。通过将硅锗 (SiGe) 双极晶体管的速度添加到 5V、0.35micron CMOS 逻辑中，BiCom3 工艺使用最高性能组件集设计。当行业的第一个生产工艺包括辅助 SiGe PNP 和 NPN 晶体管时，BiCom3 具有高电压、高晶体管增益、高 fT（最大单位增益频率）、低 THD 和低功耗的低电容功能。所有这些功能对无线以及其它通信设备都至关重要。其它功能包括 MIM 电容器、保护电路的沟道隔离，以及镍-铬-铝 (NiCrAl) 薄膜电阻，以低薄片电阻 (RS) 来处理高电流。硅绝缘体 (SOI) 技术可提供低、高线性度电容，并改进隔离和速度。

采用 BiCom3 工艺是 THS45xx 高速、低噪声、低失真以及全差动放大器。该系列器件推动高速模数转换器 (ADC) 满足苛刻应用的需求，如测试和测量、医疗成像、无线基础设施和工业应用。

TI 的 ADS5440 也是使用 BiCom3 开发的。这款 13 位、210MSPS 模数转换器 (ADC) 具有 68dB 信噪比 (SNR) 和 79dB 无杂散动态范围 (SFDR)，最大采样速率为 210MSPS，输入频率为 230MHz。新型 ADS5440 实现的突破性动态性能使多种应用中的接收器性能得以提高，包括软件定义的无线电、基站电源放大器线性化系统以及测试和测量系统。

使用 BiCom3 的其它产品包括 TMDS341， 它为 HDMI 和 DVI 数字视频提供一流信号调节和开关。该产品是一款三端口器件，可支持四个最小化传输差分信号 (TMDS) 通道、一个热插拔探测器和每个端口上一个 I²C 接口。每个 TMDS 通道允许高达 1.65Gbps 的信令速率。TMDS341 提供固定的、8dB 输入均衡和可选 3dB 输出去加重，通过 5 米或更长的符合 DVI 的电缆来优化系统性能。

SN65LVCP40 数据缓冲存储器/信号调节器以及双路复用器使通信系统的设计人员能够将 1Gbps 系统升级到 4Gbps，而不用重新设计其背板。LVCP40 提供四种输出预加重可选级别。输入上的接收器均衡补偿符号间干扰 (ISI) 效果。均衡被优化以补偿 20 英寸 FR-4 背板跟踪，5dB 高频损失在 375MHz 与 1.875MHz 之间。

更多信息请参阅：

• 高速精密模拟 BiCMOS 技术白皮书 (bctm_03.pdf, 361 KB)
  2006 年 4 月 19 日下载
• 增强型 5V 互补 SiGe BiCMOS 技术白皮书 (ecs_04.pdf, 128 KB)
  2006 年 4 月 19 日下载