大功率

所有系统均需要操作电源，TI 付出了大量的努力开发出电源管理所需的工艺，甚至可以应用于高电压系统中。电源管理和集成电源控制 IC 要求具备下列各种功能：其中包括高电压双极晶体管、逻辑控制器、高质量无源组件、具有低导通电阻的高电压场效应晶体管 (FET)、隔离高压电路、用于模拟微调的非易失性内存 (NVM) 和用于大电流电源层的低电阻电源金属互联。

电源 BiCMOS

TI 的电源 BiCMOS 工艺包括 LBC5 和 LBC7。基于 0.25 micron CMOS 技术建立的 LBC7 工艺能够集成各种组件，包括：功率晶体管、CMOS 逻辑器件、双极晶体管和无源器件，实现了全套电源、用于电源控制器件的控制和保护电路的生产。具有低导通电阻的横向双扩散 MOS (LDMOS) 晶体管支持高达 30V 的高电压。厚铜金属物显著减少了大电流电荷负载能力的电阻，使片外大电流能快速通过焊接的有源工作电路。特殊的横向双扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 器件构建确保了一个大而安全的操作区域 (SOA)，从而能保护器件并在支持大功率操作的同时提高可靠性。

包含同 LBC7 一样的组件，却基于 0.35 micron CMOS 的 LBC5 工艺，能支持高达 80V 的电压，因而适用于要求苛刻的汽车电子市场、工业和电信应用。采用其它高级电源工艺，TI 能够生产出处理更高电压的 IC。未来的工艺开发将为现有特性添加更强大的控制功能。

TI 的高级电源 LBC7 BiCMOS 工艺包括 TI 的 bq24721，一类适用于笔记本电脑和便携式多节电子产品的 SRBus 电池充电 IC。bq26150 电池管理 IC 使得电池组得以应用于 PDA、数码相机、笔记本电脑和其它便携式设备中；而 TPS62110 同步降压转换器具有集成 FET。

TI 的 LBC5 工艺是两个高性能数字放大器功率级（TAS5152 和 TAS5186）的基础，它们具有改进的生产系统。LBC5 也是 TI TPA3101D2 的关键实现因素，该器件是一个 10W 立体声 D 类音频功率放大器，用于驱动与立体声扬声器相连的桥连。

更多信息请参阅：

• BiCMOS-DMOS 工艺技术白皮书 (ispsd_04.pdf, 289KB)
  2006 年 3 月 10 日下载 (英文內容)
• LBC5 的 LDMOS 工艺技术白皮书 (ispsd_05.pdf, 637KB)
  2006 年 3 月 10 日下载 (英文內容)