ZHCSG64 March   2017 TPS53627

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5器件和文档支持
    1. 5.1 文档支持
      1. 5.1.1 相关文档 
    2. 5.2 接收文档更新通知
    3. 5.3 社区资源
    4. 5.4 商标
    5. 5.5 静电放电警告
    6. 5.6 Glossary
  6. 6机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 兼容 Intel®VR13 串行 VID (SVID)
  • 单相或两相运行
  • 支持压降和非压降 应用
  • 8 位 DAC,具有 10mV 的步长
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 输出电压范围:0.5V 到 2.3V
  • 轻重负载情况下效率均得到优化
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、 功率级™或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 已获专利 AutoBalance™相位均衡
  • 适用于负载瞬态升压的可编程 ON-Pulse 扩展
  • 可编程自动 DCM 和 CCM 运行
  • 可选 8 级电流限制
  • 小型 32 引脚 4mm × 4mm VQFN 封装 PowerPad™封装

应用范围

  • 适用于 DDR 内存的 VDDQ
  • SoC 处理器 VCORE 电源

说明

TPS53627 器件是兼容 VR13 SVID 的无驱动器同步降压控制器。高级控制 特性 (例如具有重叠脉冲的 D-CAP+ ™架构)支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持在 CCM 和 DCM 运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套 VR13 I/O 特性, 包括 VR_READY (PGOOD)、ALERTVR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达 20mV/uS。

与 TI NexFET™功率级配合使用时,该总体解决方案可提供超高速度和低开关损耗。

TPS53627 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,可在 –40°C 到 + 105°C 温度下运行。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
TPS53627 VQFN (32) 4.00mm x 4.00mm
  1. 要了解所有可用封装,请参阅文档末尾的可订购产品附录。

.. 简化电路原理图

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