ZHCSAO4F December   2012  – March 2018 UCC27611

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用图
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 VDD and Undervoltage Lockout
      2. 7.3.2 Operating Supply Current
      3. 7.3.3 Input Stage
      4. 7.3.4 Enable Function
      5. 7.3.5 Output Stage
      6. 7.3.6 Low Propagation Delays
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Gate Drive Supply Voltage
        2. 8.2.2.2 Input Configuration
        3. 8.2.2.3 Output Configuration
        4. 8.2.2.4 Power Dissipation
        5. 8.2.2.5 Thermal Considerations
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

特性

  • 增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 单电源供电电压范围
  • 5V的驱动电压 VREF
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
  • 1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻(最大限度提升对高转换率 dV 和 dt 的抗扰度)
  • 分离输出配置(可实现针对各个 FET 的导通和关断优化)
  • 传输延迟小(典型值为 14ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为 9ns 和 5ns)
  • TTL 和 CMOS 兼容输入(不受电源电压影响,很容易连接至数字和模拟控制器)
  • 双输入设计实现了灵活驱动(反相配置和同相配置均受支持)
  • 当输入悬空时输出保持在低电平
  • VDD 欠压锁定 (UVLO)
  • 采用与 eGANFET 兼容的优化引脚分布,方便进行布局布线
  • 具有外露散热焊盘和接地焊盘的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸无引线 (SON)-6 封装(最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃)
  • 工作温度范围:-40°C 至 140°C