ZHCSDH5 March 2015 CSD13302W
PRODUCTION DATA.
1 特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
2 应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
3 说明
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 6.0 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 2.1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源 导通电阻 |
VGS = 2.5V | 21.2 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 14.6 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.0 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD13302W | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.0mm × 1.0mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD13302WT | 250 | 7 英寸卷带 |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
最大绝对额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 12 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| ID | 持续漏极电流 (1) | 1.6 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流 (2) | 29 | A |
| PD | 功耗(3) | 1.8 | W |
| TJ， Tstg |
运行结温和 储存温度范围 |
-55 至 150 | °C |
- 器件在 105ºC 温度下运行
- RθJA = 170°C/W（覆铜面积最小时的典型值），脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
- RθJA = 70°C/W（覆铜面积最大时的典型值）
RDS(on) 与 VGS 间的关系 |
栅极电荷 |