ZHCSED1A November   2015  – November 2015 TPS53317A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 PWM Operation
      2. 7.3.2 PWM Frequency and Adaptive On-Time Control
      3. 7.3.3 Light-Load Power Saving Features
      4. 7.3.4 Power Sequences
        1. 7.3.4.1 Non-Tracking Startup
        2. 7.3.4.2 Tracking Startup
      5. 7.3.5 Protection Features
        1. 7.3.5.1 5-V Undervoltage Protection (UVLO)
        2. 7.3.5.2 Power Good Signals
        3. 7.3.5.3 Output Overvoltage Protection (OVP)
        4. 7.3.5.4 Output Undervoltage Protection (UVP)
        5. 7.3.5.5 Overcurrent Protection
          1. 7.3.5.5.1 Overcurrent Limit
          2. 7.3.5.5.2 Negative OCL
      6. 7.3.6 Thermal Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Non-Droop Configuration
      2. 7.4.2 Droop Configuration
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 DDR4 SDRAM Application
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 Step 1. Determine Configuration
          2. 8.2.1.2.2 Step 2. Select Inductor
          3. 8.2.1.2.3 Step 3. Determine Output Capacitance
          4. 8.2.1.2.4 Step 4. Input Capacitance
          5. 8.2.1.2.5 Step 5. Compensation Network
          6. 8.2.1.2.6 Peripheral Component Selection
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 DDR3 SDRAM Application
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
      3. 8.2.3 Non-Tracking Point-of-Load (POL) Application
        1. 8.2.3.1 Design Requirements
        2. 8.2.3.2 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 社区资源
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 静电放电警告
    4. 11.4 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
  • 支持 DDR 内存终止，具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
  • 外部跟踪
  • 最少的外部组件数
  • 0.9V 至 6V 转换电压
  • D-CAP+™ 模式架构
  • 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
  • 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
  • 轻量级负载与重负载下的优化效率
  • 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
  • 可选过流限制 (OCL)
  • 过压、过热和断续欠压保护
  • 可调输出电压范围为 0.45V 至 2V
  • 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装

2 应用

  • 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
  • VTT 终止
  • 用于 0.9V 至 6V 输入电源轨的低电压应用

3 说明

TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。

TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS53317A VQFN (20) 3.50mm × 4.00mm
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

简化应用

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