ZHCSFF9 September   2016 TLV171 , TLV2171 , TLV4171

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 技术规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议的工作条件
    4. 6.4 热性能信息：TLV171
    5. 6.5 热性能信息：TLV2171
    6. 6.6 热性能信息：TLV4171
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 工作特性
      2. 7.3.2 反相保护
      3. 7.3.3 电气过载
      4. 7.3.4 容性负载和稳定性
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 共模电压范围
      2. 7.4.2 过载恢复
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局准则
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 TINA-TI™（免费软件下载）
        2. 11.1.1.2 DIP 适配器 EVM
        3. 11.1.1.3 通用运放 EVM
        4. 11.1.1.4 TI 高精度设计
        5. 11.1.1.5 WEBENCH滤波器设计器
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 相关链接
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 社区资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 技术规格

6.1 绝对最大额定值

在自然通风温度范围内测得，除非另有说明。(1)
最小值 最大值 单位
电压 电源电压，V+ 至 V− -20 20 V
信号输入引脚 (V−) − 0.5 (V+) + 0.5
电流 信号输入引脚 -10 10 mA
输出短路(2) 连续
温度 工作温度，TA -55 150 °C
结温，TJ 150
贮存温度，Tstg -65 150
(1) 超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下器件的功能性操作以及在超出建议的工作条件下的任何其它操作，在此并未说明。长时间运行在最大绝对额定条件下会影响器件可靠性。
(2) 对地短路，每个封装对应一个放大器。

6.2 ESD 额定值

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±4000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±750
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议的工作条件

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
电源电压 (V+ - V–) 单通道电源 2.7 36 V
双通道电源 ±1.35 ±18
额定温度范围 -40 +125 °C

6.4 热性能信息：TLV171

热指标(1) TLV171 单位
D (SOIC) DBV (SOT-23)
8 引脚 5 引脚
RθJA 结至环境热阻 149.5 245.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 97.9 133.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 87.7 83.6 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 35.5 18.2 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 89.5 83.1 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 — — °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。

6.5 热性能信息：TLV2171

热指标(1) TLV2171 单位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 134.3 175.2 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 72.1 74.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 60.6 22.2 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 18.2 1.6 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 53.8 22.8 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 — — °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。

6.6 热性能信息：TLV4171

热指标(1) TLV4171 单位
D (SOIC) PW (TSSOP)
14 引脚 14 引脚
RθJA 结至环境热阻 93.2 106.9 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 51.8 24.4 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 49.4 59.3 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 13.5 0.6 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 42.2 54.3 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 — — °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。

6.7 电气特性

在 TA = 25°C，VCM = VOUT = VS/2，RL = 10kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 TA = 25°C 0.75 ±2.7 mV
TA=-40°C 至 +125°C ±3.0
dVOS/dT 输入失调电压漂移 TA = –40°C 至 +125°C 1 µV/°C
PSRR 输入失调电压与电源电压间的关系 VS = 4V 至 36V，TA = –40°C 至 +125°C 90 105 dB
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 ±10 pA
IOS 输入失调电流 ±4 pA
噪声
输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz 3 µVPP
en 输入电压噪声密度 f = 100Hz 27 nV/√Hz
f=1kHz 16
输入电压
VCM 共模电压范围(1) (V–) – 0.1 (V+) – 2 V
CMRR 共模抑制比 VS = ±18V，(V–) – 0.1V < VCM < (V+) – 2V，
TA = –40°C 至 +125°C		 94 105 dB
输入阻抗
差模 100 || 3 MΩ || pF
共模 6 || 3 1012Ω || pF
开环增益
AOL 开环电压增益 VS = 36V，
(V–) + 0.35V < VO < (V+) – 0.35V，
TA = –40°C 至 +125°C		 94 130 dB
频率响应
GBP 增益带宽积 3.0 MHz
SR 压摆率 G = +1 1.5 V/µs
tS 稳定时间 到 0.1%，VS = ±18V，G = +1，10V 阶跃 6 µs
到 0.01%（12 位），VS = ±18V，G = +1，
10V 阶跃		 10
过载恢复时间 VIN × 增益 > VS 2 µs
THD+N 总谐波失真 + 噪声 G = +1，f = 1kHz，VO = 3VRMS 0.0002%
输出
VO 电源轨的电压输出摆幅 正轨，VS = ±18V，RL = 10kΩ，
TA = 25°C		 160 mV
负轨，VS = ±18V，RL = 10kΩ，
TA = 25°C		 90 mV
RL = 10kΩ，AOL ≥ 94dB，
TA = –40°C 至 +125°C		 (V-)+0.35 (V+)-0.35 V
ISC 短路电流 25 mA
–35
CLOAD 容性负载驱动 请参阅 典型特性 pF
RO 开环输出电阻 f = 1MHz，IO = 0A 150 Ω
电源
VS 额定电压范围 2.7 36 V
IQ 静态电流（每个放大器） IO = 0A，TA = –40°C 至 +125°C 525 695 µA
温度
额定温度范围 -40 125 °C
工作温度范围 –55 150 °C
(1) 输入范围可超出 (V+)–2V，最高到 V+。请参阅典型特性和应用和实现部分，了解更多信息。

6.8 典型特性

VS = ±18V，VCM = VS/2，RLOAD = 10kΩ 且连接至 VS/2，CL = 100pF（除非另有说明）

Table 1. 特征性能测量

说明 图表
失调电压分布图 Figure 1
失调电压与共模电压间的关系 Figure 2
失调电压与共模电压间的关系（前级） Figure 3
输入偏置电流和输入失调电流与温度间的关系 Figure 4
输出电压摆幅与输出电流间的关系（最大供电电压） Figure 5
CMRR 和 PSRR 与频率间的关系（以输入为参考） Figure 6
0.1Hz 至 10Hz 噪声 Figure 7
输入电压噪声频谱密度与频率间的关系 Figure 8
静态电流与电源电压间的关系 Figure 9
开环增益和相位与频率间的关系 Figure 10
闭环增益与频率间的关系 Figure 11
开环增益与温度间的关系 Figure 12
开环输出阻抗与频率间的关系 Figure 13
小信号过冲与容性负载间的关系 Figure 14， Figure 15
无相位反转 Figure 16
小信号阶跃响应 (100mV) Figure 17, Figure 18
大信号阶跃响应 Figure 19， Figure 20
大信号稳定时间（10V 正阶跃） Figure 21
大信号稳定时间（10V 负阶跃） Figure 22
短路电流与温度间的关系 Figure 23
最大输出电压与频率间的关系 Figure 24
EMIRR IN+ 与频率间的关系 Figure 25
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_histo_voff_sbos783.gif
根据 3500 个放大器得出的分布图
Figure 1. 失调电压产生分布图
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_vos-vcm_upper_sbos783.gif
显示 10 个典型单元
Figure 3. 失调电压与共模电压间的关系
（前级）
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_vo_swing-io_bos516.gif
Figure 5. 输出电压摆幅与输出电流间的关系（最大供电电压）
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_noise_bos516.gif
Figure 7. 0.1Hz 至 10Hz 噪声
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_iq-vs_bos516.gif
Figure 9. 静态电流与电源电压间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_cloop_g-frq_bos516.gif
Figure 11. 闭环增益与频率间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_oloop_imp-frq_bos516.gif
Figure 13. 开环输出阻抗与频率间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_small-sig_ovrst_cap_load_g-1_sbos783.gif
100mV 输出阶跃，RL = 10kΩ
Figure 15. 小信号过冲与容性负载间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_sm_step_pos_sbos783.gif
RL = 10kΩ，CL = 100pF
Figure 17. 小信号阶跃响应 (100mV)
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_sm_step_pos_sbos783.gif
G = +1，RL = 10kΩ，CL = 100pF
Figure 19. 大信号阶跃响应
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_lg_t_pos_sbos783.gif
10V 正阶跃，G = –1
Figure 21. 大信号稳定时间
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_isc-tmp_bos516.gif
Figure 23. 短路电流与温度间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 D001_SBOS783.gif
Figure 25. EMIRR IN+ 与频率间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_vos-vcm_sbos783.gif
显示 10 个典型单元
Figure 2. 失调电压与共模电压间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_ibias-tmp_bos516.gif
Figure 4. 输入偏置电流和输入失调电流与温度间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_cmrr_psrr-frq_bos516.gif
Figure 6. CMRR 和 PSRR 与频率间的关系
（以输入为参考）
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_noise_spec-frq_bos516.gif
Figure 8. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_g_ph-frq_bos516.gif
Figure 10. 开环增益和相位与频率间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_g-tmp_sbos783.gif
显示 5 个典型单元
Figure 12. 开环增益与温度间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_small-sig_ovrst_cap_load_g1_sbos783.gif
100mV 输出阶跃，RL = 10kΩ
Figure 14. 小信号过冲与容性负载间的关系
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_no_phase_reverse_bos782.gif
Figure 16. 无相位反转
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_sm_step_neg_sbos783.gif
Figure 18. 小信号阶跃响应 (100mV)
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_lg_step_neg_sbos783.gif
G = –1，RL = 10kΩ，CL = 100pF
Figure 20. 大信号阶跃响应
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_lg_t_neg_sbos783.gif
10V 负阶跃，G = –1
Figure 22. 大信号稳定时间
TLV171 TLV2171 TLV4171 tc_max_vo-frq_bos516.gif
Figure 24. 最大输出电压与频率间的关系