ZHCS301C December   2012  – July 2016 TLC6C5912-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Thermal Shutdown
      2. 8.3.2 Serial-In Interface
      3. 8.3.3 Clear Register
      4. 8.3.4 Cascade Through SER OUT
      5. 8.3.5 Output Control
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Operation With VCC < 3 V
      2. 8.4.2 Operation With 5.5 V ≤ VCC ≤ 8 V
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 社区资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 适用于汽车电子 应用
  • 宽 VCC 电压范围:3.5V 至 5.5V
  • 40V 的最大输出额定值
  • 12 个功率 DMOS 晶体管输出,
    VCC = 5V 时的连续电流输出达 50mA
  • 热关断保护
  • 针对多级的增强型级联
  • 所有寄存器由单一输入清零
  • 低功耗
  • 缓开关时间(tr和 tf),这十分有助于减少电磁干扰 (EMI)
  • 20 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP)-PW 封装
  • 20 引脚 DW 封装

2 应用

  • 仪表板
  • 信号灯
  • LED 照明和控制

3 说明

TLC6C5912-Q1 是一款单片、中等电压、低电流电源 12 位移位寄存器,设计用于需要相对适量负载功率的系统(如 LED)中。

此器件包含一个 12 位串入、并出移位寄存器,此寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升边沿上发生。当移位寄存器清零 (CLR) 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲器 。一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。将输出使能 (G) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平,并且所有漏极输出关闭。保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。

当输出缓冲器中的数据为低电平时,DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据为高电平时,DMOS 晶体管输出具有电流吸收功能。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降沿随时钟移出器件,为级联应用提供更多保持 时间。这对于时钟信号可能出现偏移的应用、 放置位置相互不靠近的器件、 或者电磁干扰较大的系统而言可以提升性能。此器件内置有热关断保护。

输出端为低侧开漏 DMOS 晶体管,输出额定电压为 40V,VCC = 5V 时拥有 50mA 的连续灌电流能力。电流限值随着结温上升而降低,从而提供额外的器件保护。该器件还提供高达 2000V 的 ESD 人体模型保护和 200V 的 ESD 机器模型保护。

TLC6C5912-Q1 的额定运行环境温度范围为 -40°C 至 125°C。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
TLC6C5912-Q1 SOIC (20) 12.80mm x 7.50mm
TSSOP (20) 6.50mm × 4.40mm
  1. 要了解所有可用封装,请参见数据表末尾的可订购产品附录。

典型应用电路原理图

TLC6C5912-Q1 Typ_App_Schem_SLIS141.gif

4 修订历史记录

Changes from B Revision (December 2015) to C Revision

  • Changed rDS(on) test condition from 50 mA to 20 mAGo
  • 已添加接收文档更新通知部分Go

Changes from A Revision (January 2013) to B Revision

  • Added 引脚配置和功能部分,ESD 额定值表,特性 描述 部分,器件功能模式应用和实施部分,电源相关建议部分,布局部分,器件和文档支持部分以及机械、封装和可订购信息部分Go

Changes from * Revision (December 2012) to A Revision

  • 已将器件状态从“产品预览”改为“量产数据”Go