ZHCSFO9A November   2016  – June 2017 OPA2172-Q1 , OPA4172-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      出色的总谐波失真 (THD) 性能
      2.      JFET 输入低噪声放大器
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特征
    6. 7.6 典型特性
  8. 详细 说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 EMI 抑制
      2. 8.3.2 相位反转保护
      3. 8.3.3 电容负载和稳定性
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 共模电压范围
      2. 8.4.2 电气过载
      3. 8.4.3 过载恢复
  9. 应用 和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型 应用
      1. 9.2.1 采用隔离电阻器的电容负载驱动解决方案
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计流程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 双向电流源
      3. 9.2.3 JFET 输入低噪声放大器
  10. 10电源建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 开发支持
        1. 12.1.1.1 TINA-TI(免费软件下载)
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 相关链接
    4. 12.4 接收文档更新通知
    5. 12.5 社区资源
    6. 12.6 商标
    7. 12.7 静电放电警告
    8. 12.8 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

JFET 输入低噪声放大器

Figure 51 显示了低噪声复合放大器,该放大器是通过添加 JFET 对(Q1 和 Q2)作为 OPA172-Q1 的输入前置放大器而构建的。晶体管 Q3 和 Q4 形成一个 2mA 电流接收器,用 1mA 漏极电流偏置每个 JFET。使用 3.9kΩ 漏极电阻器可在输入放大器中产生大约 10 倍的增益,使 JFET 对的极低宽带噪声频谱密度 Q1 和 Q2 成为放大器的主要噪声源。输入差分放大器的输出抗阻足够大,使 FET 输入放大器(如 OPA172-Q1)具有优于双极输入放大器的出色噪声性能。

复合放大器的增益由 Equation 3 确定。

Equation 3. AV = (1 + R3/R4)

所显示的电阻是 1% 的标准电阻值,可产生具有 68° 相补角的大约 100 (99.26) 倍的增益值。增益值小于 10 时可能需要采用额外补偿方法来确保稳定性。选择低电阻值以最大限度降低电阻器热噪声造成的总输出噪声。

OPA2172-Q1 OPA4172-Q1 ai_lownoiseamp_OPA172Q1.gifFigure 51. JFET 输入低噪声放大器