ZHCSSL3Q April   2000  – November 2023 LP2980-N

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Output Enable
      2. 6.3.2 Dropout Voltage
      3. 6.3.3 Current Limit
      4. 6.3.4 Undervoltage Lockout (UVLO)
      5. 6.3.5 Output Pulldown
      6. 6.3.6 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
      1. 6.4.1 Normal Operation
      2. 6.4.2 Dropout Operation
      3. 6.4.3 Disabled
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
      1. 7.1.1 Recommended Capacitor Types
        1. 7.1.1.1 Recommended Capacitors for the Legacy Chip
        2. 7.1.1.2 Recommended Capacitors for the New Chip
      2. 7.1.2 Input and Output Capacitor Requirements
      3. 7.1.3 Estimating Junction Temperature
      4. 7.1.4 Power Dissipation (PD)
      5. 7.1.5 Reverse Current
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 ON/OFF Input Operation
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 Power Supply Recommendations
    4. 7.4 Layout
      1. 7.4.1 Layout Guidelines
      2. 7.4.2 Layout Example
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 Device Nomenclature
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 Trademarks
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • VIN 范围（新芯片）：2.5V 至 16V
  • VOUT 范围（新芯片）：
    • 1.2V 至 5.0V（固定值，100mV 阶跃）
  • VOUT 精度：
    • A 级旧芯片为 ±0.5%
    • 标准级旧芯片为 ±1%
    • 新芯片 ±0.5%（A 级和标准级）
  • 在整个负载和温度范围内的输出精度：±1%（新芯片）
  • 输出电流：高达 50mA
  • 低 IQ（新芯片）：ILOAD = 0mA 时为 69μA
  • 低 IQ（新芯片）：ILOAD = 50mA 时为 380μA
  • 关断电流与温度间的关系：
    • 旧芯片为 0.01μA（典型值）
    • 新芯片为 1.12μA（典型值）
  • 输出电流限制和热保护
  • 使用 2.2µF 陶瓷电容器实现稳定工作（新芯片）
  • 高 PSRR（新芯片）：
    • 1kHz 频率下为 75dB，1MHz 频率下为 45dB
  • 工作结温：–40°C 至 +125°C
  • 封装：5 引脚 SOT-23 (DBV)