ZHCSIP2E April   2016  – October 2018 LMG3410R070 , LMG3411R070

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      简化方框图
      2.      高于 100V/ns 时的开关性能
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Switching Parameters
      1. 7.1.1 Turn-on Delays
      2. 7.1.2 Turn-off Delays
      3. 7.1.3 Drain Slew Rate
      4. 7.1.4 Turn-on and Turn-off Energy
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Direct-Drive GaN Architecture
      2. 8.3.2 Internal Buck-Boost DC-DC Converter
      3. 8.3.3 Internal Auxiliary LDO
      4. 8.3.4 Fault Detection
        1. 8.3.4.1 Over-current Protection
        2. 8.3.4.2 Over-Temperature Protection and UVLO
      5. 8.3.5 Drive Strength Adjustment
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Low-Power Mode
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Slew Rate Selection
          1. 9.2.2.1.1 Startup and Slew Rate with Bootstrap High-Side Supply
        2. 9.2.2.2 Signal Level-Shifting
        3. 9.2.2.3 Buck-Boost Converter Design
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Paralleling GaN Devices
    4. 9.4 Do's and Don'ts
  10. 10Power Supply Recommendations
    1. 10.1 Using an Isolated Power Supply
    2. 10.2 Using a Bootstrap Diode
      1. 10.2.1 Diode Selection
      2. 10.2.2 Managing the Bootstrap Voltage
      3. 10.2.3 Reliable Bootstrap Start-up
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
      1. 11.1.1 Power Loop Inductance
      2. 11.1.2 Signal Ground Connection
      3. 11.1.3 Bypass Capacitors
      4. 11.1.4 Switch-Node Capacitance
      5. 11.1.5 Signal Integrity
      6. 11.1.6 High-Voltage Spacing
      7. 11.1.7 Thermal Recommendations
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项
    • LMG3410R070:锁存过流保护
    • LMG3411R070:逐周期过流保护